集成電路器件抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)

定　價(jià)：￥129.00

作　者：	閆愛(ài)斌，倪天明，黃正峰，崔杰
出版社：	科學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

購(gòu)買(mǎi)這本書(shū)可以去

ISBN：	9787030747143	出版時(shí)間：	2023-03-01	包裝：	平裝膠訂
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：		字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)從集成電路器件可靠性問(wèn)題出發(fā)，具體闡述了輻射環(huán)境、輻射效應(yīng)、軟錯(cuò)誤和仿真工具等背景知識(shí)，詳細(xì)介紹了抗輻射加固設(shè)計(jì)（RHBD）技術(shù)以及在該技術(shù)中常用的相關(guān)組件，重點(diǎn)針對(duì)表決器、鎖存器、主從觸發(fā)器和靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（SRAM）單元介紹了經(jīng)典的和新穎的RHBD技術(shù)，扼要描述了相關(guān)實(shí)驗(yàn)并給出了容錯(cuò)性能和開(kāi)銷對(duì)比分析。本書(shū)共分為6章，分別為緒論、常用的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)及組件、表決器的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)、鎖存器的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)、主從觸發(fā)器的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)以及SRAM單元的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)。通過(guò)學(xué)習(xí)本書(shū)內(nèi)容，讀者可以強(qiáng)化對(duì)集成電路器件抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)的認(rèn)知，了解該領(lǐng)域的當(dāng)前**研究成果和相關(guān)技術(shù)。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《集成電路器件抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)》作者簡(jiǎn)介

圖書(shū)目錄

目錄
前言　
第1章　緒論　1　
1.1　輻射環(huán)境　2　
1.1.1　自然輻射環(huán)境　2　
1.1.2　人造輻射環(huán)境　6　
1.2　輻射效應(yīng)　6　
1.2.1　單粒子效應(yīng)　6　
1.2.2　累積效應(yīng)　9　
1.3　重要概念　9　
1.3.1　故障、錯(cuò)誤與失效　9　
1.3.2　軟錯(cuò)誤　10　
1.4　軟錯(cuò)誤模型　10　
1.4.1　器件級(jí)模型　10　
1.4.2　電路級(jí)模型　11　
1.5　電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化仿真工具　12　
1.5.1　Synopsys HSPICE　12　
1.5.2　Cadence Virtuoso　13　
1.6　基于RHBD技術(shù)的集成電路器件存在的問(wèn)題　14　
1.7　本章小結(jié)　14　
第2章　常用的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)及組件　15　
2.1　常用的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)　15　
2.1.1　空間冗余技術(shù)　15　
2.1.2　時(shí)間冗余技術(shù)　16　
2.2　常用的抗輻射加固組件　18　
2.2.1　C單元　18　
2.2.2　1P2N和2P1N單元　21　
2.2.3　DICE單元　22　
2.2.4　施密特反相器　24　
2.3　抗輻射能力的定義　25　
2.4　本章小結(jié)　27　
第3章　表決器的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)　28　
3.1　傳統(tǒng)的表決器設(shè)計(jì)　28　
3.2　基于多級(jí)C單元的表決器設(shè)計(jì)　29　
3.2.1　電路結(jié)構(gòu)與工作原理　30　
3.2.2　實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證與對(duì)比分析　37　
3.3　基于電流競(jìng)爭(zhēng)的表決器設(shè)計(jì)　39　
3.3.1　電路結(jié)構(gòu)與工作原理　40　
3.3.2　表決器的應(yīng)用　42　
3.3.3　實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證與對(duì)比分析　46　
3.4　本章小結(jié)　56　
第4章　鎖存器的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)　57　
4.1　未加固的標(biāo)準(zhǔn)靜態(tài)鎖存器設(shè)計(jì)　57　
4.2　經(jīng)典的抗輻射加固鎖存器設(shè)計(jì)　58　
4.2.1　抗單節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的鎖存器設(shè)計(jì)　58　
4.2.2　抗雙節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的鎖存器設(shè)計(jì)　62　
4.2.3　抗三節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的鎖存器設(shè)計(jì)　70　
4.2.4　過(guò)濾SET脈沖的鎖存器設(shè)計(jì)　74　
4.3　單節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)自恢復(fù)的RFC鎖存器設(shè)計(jì)　79　
4.3.1　電路結(jié)構(gòu)與工作原理　79　
4.3.2　實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證與對(duì)比分析　80　
4.4　抗雙/三節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的鎖存器設(shè)計(jì)　85　
4.4.1　HSMUF雙容鎖存器　86　
4.4.2　基于浮空點(diǎn)的雙容鎖存器　89　
4.4.3　超低開(kāi)銷的LCDNUT/LCTNUT鎖存器　96　
4.4.4　恢復(fù)能力增強(qiáng)的DNUCT/TNUCT鎖存器　102　
4.4.5　完全三恢的鎖存器　110　
4.5　過(guò)濾SET脈沖的鎖存器設(shè)計(jì)　111　
4.5.1　PDFSR鎖存器　111　
4.5.2　RFEL鎖存器　116　
4.6　本章小結(jié)　126　
第5章　主從觸發(fā)器的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)　127　
5.1　未加固的主從觸發(fā)器設(shè)計(jì)　127　
5.2　經(jīng)典的抗輻射加固主從觸發(fā)器設(shè)計(jì)　128　
5.3　抗節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)主從觸發(fā)器設(shè)計(jì)　130　
5.3.1　電路結(jié)構(gòu)與工作原理　130　
5.3.2　實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證與對(duì)比分析　134　
5.4　本章小結(jié)　145　
第6章　SRAM單元的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)　146　
6.1　未加固的SRAM存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)　146　
6.1.1　6TSRAM　146　
6.1.2　8TSRAM　148　
6.2　經(jīng)典的抗輻射加固SRAM存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)　149　
6.2.1　抗單節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的SRAM存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)　149　
6.2.2　抗雙節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的16T SRAM存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)　163　
6.3　抗單節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的SRAM存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)　164　
6.3.1　QCCM10T/QCCM12T SRAM　164　
6.3.2　QCCS/SCCS SRAM　173　
6.3.3　SRS14T/SESRS SRAM　183　
6.4　抗雙節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的SRAM存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)　193　
6.4.1　電路結(jié)構(gòu)與工作原理　193　
6.4.2　實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證與對(duì)比分析　200　
6.5　本章小結(jié)　206　
參考文獻(xiàn)　207