CMOS射頻集成電路設計（第二版）

定　價：￥59.00

作　者：	（美）李（Lee.T.H.）著，余志平等譯
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項：	國外優(yōu)秀信息科學與技術系列教學用書
標　簽：	集成電路

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ISBN：	9787121032806	出版時間：	2006-11-01	包裝：	膠版紙
開本：	16	頁數(shù)：	596	字數(shù)：

內容簡介

　　本書是《CMOS射頻集成電路設計》的第二版，這本被譽為射頻集成電路設計指南的書全面深入地介紹了設計千兆赫（GHz）CMOS射頻集成電路的細節(jié)。本書首先簡要介紹了無線電發(fā)展史和無線系統(tǒng)原理；在回顧集成電路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并聯(lián)和其他振蕩網(wǎng)絡以及分布式系統(tǒng)特點的基礎上，介紹了史密斯圓圖、S參數(shù)和帶寬估計技術；著重說明了現(xiàn)代高頻寬帶放大器的設計方法，詳細討論了關鍵的射頻電路模塊，包括低噪聲放大器（LNA）、基準電壓源、混頻器、射頻功率放大器、振蕩器和頻率合成器。對于射頻集成電路中存在的各類噪聲及噪聲特性（包括振蕩電路中的相位噪聲）進行了深入的探討。本書最后考察了收發(fā)器的總體結構并展望了射頻電路未來發(fā)展的前景。書中包括許多非常實用的電路圖和其他插圖，并咐有許多具有啟發(fā)性的習題，因此是高年級本科生和研究生學習有關射頻電子學方面課程的理想教科書，對于從事射頻集成電路設計或其他領域實際工作的工程技術人員也是一本非常有益的參考書。...

作者簡介

　　本書提供作譯者介紹Thomas H．Lee于1990年獲得美國麻省理工學院電機工程系博士學位，現(xiàn)為斯坦福大學電氣工程系副教授。此外，他還是IEEE固態(tài)電路協(xié)會和IEEE微波理論與技術協(xié)會的杰出講演者。他在國際會議上贏得過四次“最佳論文”獎，并贏得Packard基金會（Packard Foundation Fellowship）的研究基金。Thomas H．Lee教授發(fā)表過100余篇學術論文并擁有30項美國專利。他還和其他人共同創(chuàng)辦了幾家公司，其中包括Matrix Semiconductor。...

圖書目錄

第1章　無線電發(fā)展歷史的間斷回顧
1.1引言
1.2麥克斯韋和赫茲
1.3真空管發(fā)明前的電子學
1.4真空管的誕生
1.5Armstrong和再生放大器/檢波器，振蕩器
1.6其他無線電電路
1.7Armstrong和超再生電路
1.8Oleg Losev及第一個固態(tài)電路放大器
1.9結束語
1.10附錄A：真空管基礎
1.11附錄B：究竟是誰發(fā)明了無線電
第2章　無線通信原理概述
2.1無線系統(tǒng)的片段簡史
2.2非蜂窩無線通信的應用
2.3香農(nóng)定理、調制及其他
2.4傳播
2.5結論
2.6附錄：其他無線系統(tǒng)的特性
第3章　無源RLC網(wǎng)絡
3.1引言
3.2并聯(lián)RLC諧振回路
3.3串聯(lián)RLC網(wǎng)絡
3.4其他RLC諧振網(wǎng)絡
3.5作為阻抗變換器的RLC網(wǎng)絡
3.6實例
第4章　無源集成電路元件的特性
4.1引言
4.2射頻情況下的互連線：趨膚效應
4.3電阻
4.4電容
4.5電感
4.6變壓器
4.7高頻時的互連選擇
4.8小結
4.9附錄：電容方程總結
第5章　MOS器件物理回顧
5.1引言
5.2簡短歷史
5.3場效應管：一個小故事
5.4 MOSFET物理：長溝道近似
5.5弱反型區(qū)(亞閾值區(qū))的工作情況
5.6短溝情況下的MOS器件物理
5.7其他效應
5.8小結
5.9附錄A：0.5um Level.3的SPICE模型
5.10附錄B：Level.3 SPICE模型
5.11附錄C：Level一1 MOS模型
5.12附錄D：一些非常粗略的尺寸縮小規(guī)律
第6章　分布參數(shù)系統(tǒng)
6.1引言
6.2集總和分布參數(shù)范疇之間的聯(lián)系
6.3重復結構的策動點阻抗
6.4關于傳輸線的更詳細討論
6.5有限長度傳輸線的特性
6.6傳輸線公式小結
6.7人工傳輸線
6.8小結
第7章　史密斯圓圖和S參數(shù)
7.1引言
7.2史密斯圓圖
7.3 S參數(shù)
7.4附錄A：關于單位的一些說明
7.5附錄B：為什么采用50Q(或75Q)
第8章　頻帶寬度估算方法
8.1引言
8.2開路時間常數(shù)方法
8.3短路時間常數(shù)方法
8.4補充讀物
8.5上升時間、延時及帶寬
8.6小結
第9章　高頻放大器設計
9.1引言
9.2利用零點增大帶寬
9.3并聯(lián)一串聯(lián)放大器
9.4.采用倍頻器增大帶寬
9.5調諧放大器
9.6中和與單向化
9.7級聯(lián)放大器
9.8調幅一調相(AM.PM)的轉換
9.9小結
第10章　基準電壓和偏置電路
10.1引言
10.2二極管特性回顧
10.3 CMOS工藝中的二極管和雙極型晶體管
10.4獨立于電源電壓的偏置電路
10.5帶隙基準電壓
10.6恒gm偏置
10.7小結
第11章　　噪聲
11.1引言
11.2熱噪聲
11.3散粒噪聲
11.4閃爍噪聲
11.5爆米噪聲
11.6經(jīng)典的二端口網(wǎng)絡噪聲理論
11.7噪聲計算舉例
11.8一個方便的匡算規(guī)則
11.9典型的噪聲性能
11.10附錄：各種噪聲模型
第12章　低噪聲放大器設計
12.1　引言
12.2 MOSFET二端口網(wǎng)絡噪聲參數(shù)的推導
12.3 LNA的拓撲結構：功率匹配與噪聲匹配
12.4功耗約束噪聲優(yōu)化
12.5設計舉例
12.6線性度與大信號性能
12.7無亂真信號的動態(tài)范圍
12.8小結
第13章　混頻器
13.1引言
13.2混頻器基礎
13.3作為線性混頻器的非線性系統(tǒng)
13.4基于乘法器的混頻器
13.5亞采樣混頻器
13.6附錄：二極管環(huán)路混頻器
第14章　反饋系統(tǒng)
14.1引言
14.2現(xiàn)代反饋理論的簡短歷史
14-3一個令人費解的問題
14.4.負反饋系統(tǒng)靈敏度的降低
14.5反饋系統(tǒng)的穩(wěn)定性
14.6衡量穩(wěn)定性的增益與相位裕量
14.7根軌跡技術
14.8穩(wěn)定性準則小結
14.9反饋系統(tǒng)建模
14.10反饋系統(tǒng)的誤差
14.1 1一階和二階系統(tǒng)的頻域和時域特性
14.12實用的匡算規(guī)則
14.13根軌跡舉例和補償
14.14根軌跡技術小結
14.15補償
14.16通過降低增益獲得補償
14.17滯后補償
14.18超前補償
14.19慢滾降補償
14.20補償問題小結
第15章　RF功率放大器
15.1引言
15.2一般考慮
15.3 A類、AB類、B類和c類功率放大器
15.4 D類放大器
15.5 E類放大器
15.6 F類放大器
15.7功率放大器的調制
15.8功率放大器特性小結
15.9 RF功率放大器的幾個設計范例
15.10其他設計考慮
15.11設計小結
第16章　鎖相環(huán)
16.1引言
16.2PLL簡史
16.3幾種線性化的PLL模型
16.4 PLL的一些噪聲特性
16.5鑒相器
16.6序列鑒相器
16.7環(huán)路濾波器和電荷泵
16.8 PLL設計實例
16.9小結
第17章　振蕩器與頻率合成器
17.1引言
17.2純線性振蕩器存在的問題
17.3描述函數(shù)
17.4諧振器
17.5調諧振蕩器舉例
17.6負阻振蕩器
17.7頻率合成
17.8小結
第18章　相位噪聲
18.1引言
18.2一般眭考慮
18.3詳細討論：相位噪聲
18.4線性性與時變在相位噪聲中的作用
18.5電路實例
18.6振幅響應
18.7小結
18.8附錄：有關模擬的說明
第19章　系統(tǒng)結構
19.1引言
19.2動態(tài)范圍
19.3亞采樣
19.4.發(fā)射機系統(tǒng)結構
19.5振蕩器的穩(wěn)定性
19.6芯片設計實例
19.7小結
第20章　射頻電路歷史回顧
20.1 引言
20.2 Armstrong
20.3“全美”5管超外差收音機
20.4.Regency TR一1晶體管收音機
20.5三管玩具民用波段對講機