光纖通信用光電子器件制作工藝基礎(chǔ)

定　價：￥34.00

作　者：	黃章勇編
出版社：	北京郵電大學(xué)出版社
叢編項：	現(xiàn)代通信技術(shù)應(yīng)用叢書
標(biāo)　簽：	光通信與傳輸

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ISBN：	9787563509652	出版時間：	2005-02-01	包裝：	簡裝本
開本：	小16開	頁數(shù)：	306	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書較全面地介紹了光纖通信用光電子器件和組件的制作工藝（包括工藝?yán)碚摶A(chǔ)和可供參考的工藝數(shù)據(jù)）。它從激光二極管、光探測器、光調(diào)制器和半導(dǎo)體光放大器等主要光電子器件的結(jié)構(gòu)入手，論述為實現(xiàn)這些結(jié)構(gòu)所必須的主要制作工藝技術(shù)，重點介紹了Si基和Ⅲ-V族化合物基光電子器件的材料制備（包括各種外延生長技術(shù)）、光刻和腐蝕、摻雜、介質(zhì)膜和金屬膜制備、器件和組件的組裝和封裝等工藝技術(shù)。本書是編著者多年工作經(jīng)驗之積累，也展示制作工藝中的最新技術(shù)，是一部光纖通信用光電子器件較為全面的制作工藝類技術(shù)書。該書可供從事光纖通信用光電子器件的設(shè)計、研究、制作人員的使用和參考，也可供大專院校光通信、光電子技術(shù)專業(yè)師生使用和參考。

作者簡介

　　黃章勇，1945年5月22日出生，漢族，浙江義烏市人。現(xiàn)任深圳飛通光電股份有限公司董事、總裁，教授級高級工程師，北京郵電大學(xué)兼職教授（博士生導(dǎo)師），哈爾濱工業(yè)大學(xué)深圳研究生院兼職教授，美國光學(xué)學(xué)會會員，中國電子學(xué)會半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會委員，信息產(chǎn)業(yè)部通信科技委電信傳輸專家咨詢組成員。1968年成都電訊工程學(xué)院（現(xiàn)電子科技大學(xué)）電子器件設(shè)計與制造專業(yè)畢業(yè)，1981年獲北京郵電大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位。長期從事光電子器件的研究開發(fā)，先后主持0.9微米、1.06微米硅光電二極管、鈦擴散LiNbO3波導(dǎo)及其開關(guān)/調(diào)制器、1.3微米和1.55微米激光二極管等研究，獲電子部科技成果一等獎、國家科技進步二等獎、廣東省科技進步二等獎。1991年被國家教委、國務(wù)院學(xué)位委員會授予“做出突出貢獻的中國碩士學(xué)位獲得者”稱號，1996年經(jīng)國務(wù)院批準(zhǔn)為享受政府特殊津貼人員，2003年榮獲“深圳市首屆創(chuàng)業(yè)企業(yè)家”稱號。迄今，先后在國內(nèi)外發(fā)表學(xué)術(shù)論文近40篇，并于2001年和2003年出版著作《光纖通信用光電子器件與組件》、《光纖通信用新型光無源器件》。從1998年起致力于光纖通信光電子器件產(chǎn)業(yè)化，1993年創(chuàng)立深圳飛通光電股份有限公司，成為國際著名的光電子器件生產(chǎn)基地和出口基地，科技部認(rèn)定為國家“863”計劃成果產(chǎn)業(yè)化基地和國家火炬計劃重點高新技術(shù)企業(yè)，2001年3月被評為“863”計劃先進集體，2003年12月被國家人事部獲準(zhǔn)設(shè)立“博士后科研工作站”。

圖書目錄

第1章器件與工藝技術(shù)物理基礎(chǔ)
1. 1 能帶概念
1. 2 本征半導(dǎo)體與態(tài)密度
1. 3 施主與受主
1. 4 雜質(zhì)電離
1. 5 載流子的運動
1. 6 p-n結(jié)
1. 7 p-n結(jié)擊穿
1. 8 異質(zhì)結(jié)
第2章光電子器件的基本結(jié)構(gòu)及其關(guān)鍵制作工藝
2. 1 激光二級管的基本結(jié)構(gòu)和制作
2. 2 光電探測器的結(jié)構(gòu)和制作
2. 3 半導(dǎo)體放大器的結(jié)構(gòu)和制作
2. 4 光調(diào)制器的結(jié)構(gòu)與制作
2. 5 半導(dǎo)體光開關(guān)的結(jié)構(gòu)和制作
2. 6 集成光電子器件的結(jié)構(gòu)和制作
第3章光電子器件的材料制備技術(shù)
3. 1 基底片制備
3. 2 光電子器件用Si基材料的制備
3. 3 光電子器件用Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料和外延生長
3. 4 Ⅲ-Ⅴ族化合物的液相外延生長
3. 5 Ⅲ-Ⅴ族化合物的鹵化物輸運汽相外延生長
3. 6 金屬有機化合物汽相淀積
3. 7 分子束外延生長
3. 8 化學(xué)束外延生長
3. 9 原子層. 分子層外延生長
3. 10 Ⅲ-Ⅴ族化合物低維半導(dǎo)體材料的制備技術(shù)
3. 11 光子晶體薄膜及其制備
3. 12 異質(zhì)材料的晶片鍵合技術(shù)
3. 13 光電子器件外延層質(zhì)量檢測
第4章光電子器件制作中的光刻和腐蝕
4. 1 UV光刻
4. 2 電子束光刻
4. 3 X射線光刻
4. 4 納米印刷光刻
4. 5 飛秒激光脈沖直接光刻
4. 6 光柵制作
4. 7 濕法化學(xué)腐蝕蝕刻圖形
4. 8 干法腐蝕蝕刻圖形
第5章光電子器件的摻雜技術(shù)
5. 1 擴散摻雜
5. 2 離子注入摻雜
5. 3 外延摻雜
第6章光電子器件中的介質(zhì)薄膜及其制備
6. 1 光電子器件中的介質(zhì)薄膜
6. 2 介質(zhì)膜的制備
第7章光電子器件的電極金屬膜及其制備
7. 1 光電子器件對電極金屬膜的要求
7. 2 光電子器件的歐姆接觸材料
7. 3 光電子器件的金屬化淀積技術(shù)
第8章光電子器件和組件的組裝和封裝
8. 1 光電子器件的組裝
8. 2 光電子組件的組裝
8. 3 光電子器件和組件的封裝
第9章光電子器件在制作和使用中引入缺陷及其缺陷控制和檢測
9. 1 光電子器件在晶體生長中造成的缺陷及其控制和檢測
9. 2 光電子器件制作過程中引入的缺陷
9. 3 光電子器件工作過程中引入的缺陷反應(yīng)
9. 4 不合格器件的剔除
附錄英文縮寫詞
參考文獻