新型電致發(fā)光材料與器件

第1章概論/001
1.1光與發(fā)光001
1.2無機(jī)發(fā)光材料與器件004
1.2.1基于熒光粉的發(fā)光材料與器件004
1.2.2無機(jī)電致發(fā)光材料與器件006
1.3有機(jī)電致發(fā)光材料與器件012
1.4其他新型電致發(fā)光材料與器件016
參考文獻(xiàn)018
第2章有機(jī)電致發(fā)光的物理過程/019
2.1有機(jī)半導(dǎo)體的基本概念019
2.2有機(jī)半導(dǎo)體的激發(fā)態(tài)021
2.3有機(jī)半導(dǎo)體的激發(fā)態(tài)過程024
2.4有機(jī)半導(dǎo)體中無輻射過程025
2.4.1無輻射躍遷025
2.4.2內(nèi)轉(zhuǎn)換025
2.4.3系間竄越026
2.5有機(jī)半導(dǎo)體的輻射躍遷027
2.5.1單重態(tài)發(fā)光027
2.5.2三重態(tài)發(fā)光032
2.5.3熱激活延遲熒光（TADF）033
2.5.4三重態(tài)-三重態(tài)猝滅（TTA）發(fā)光035
2.5.5局域電荷轉(zhuǎn)移雜化態(tài)（HTLC）發(fā)光035
2.5.6雙重態(tài)激子發(fā)光036
2.5.7激基締合物與激基復(fù)合物發(fā)光036
2.6激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移與電子轉(zhuǎn)移038
2.6.1能量轉(zhuǎn)移038
2.6.2激發(fā)態(tài)的電子轉(zhuǎn)移039
2.7有機(jī)半導(dǎo)體中的電輸運(yùn)041
2.7.1有機(jī)半導(dǎo)體與電極接觸043
2.7.2載流子的注入044
2.7.3載流子的傳輸047
2.7.4有機(jī)半導(dǎo)體中的激子產(chǎn)生048
2.7.5激子的擴(kuò)散與復(fù)合050
2.8有機(jī)電致發(fā)光效率051
參考文獻(xiàn)052
第3章有機(jī)電致發(fā)光材料/056
3.1發(fā)光材料056
3.1.1有機(jī)小分子發(fā)光材料057
3.1.2配合物發(fā)光材料062
3.1.3聚合物發(fā)光材料0653.2電子傳輸材料067
3.2.1有機(jī)小分子電子傳輸材料068
3.2.2聚合物電子傳輸材料072
3.2.3有機(jī)金屬配合物電子傳輸材料077
3.2.4其他類電子傳輸材料077
3.3空穴傳輸材料078
3.3.1有機(jī)小分子空穴傳輸材料078
3.3.2聚合物空穴傳輸材料081
3.4界面修飾材料082
3.4.1空穴注入緩沖材料082
3.4.2電子注入緩沖材料084
3.4.3導(dǎo)電聚合物085
3.5總結(jié)與展望085
參考文獻(xiàn)086
第4章有機(jī)電致發(fā)光器件/088
4.1有機(jī)電致發(fā)光歷史088
4.2有機(jī)電致發(fā)光器件組件介紹090
4.2.1電極091
4.2.2電極修飾層093
4.2.3發(fā)光層094
4.2.4載流子傳輸層099
4.3有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)100
4.3.1傳統(tǒng)有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)100
4.3.2特殊有機(jī)發(fā)光器件結(jié)構(gòu)102
4.4有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法108
4.4.1ITO導(dǎo)電玻璃處理108
4.4.2有機(jī)功能層制備109
4.4.3陰極制備111
4.4.4器件封裝112
4.5有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)展的挑戰(zhàn)與展望112
參考文獻(xiàn)113
第5章半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料/117
5.1半導(dǎo)體量子點(diǎn)簡介117
5.2半導(dǎo)體量子點(diǎn)的電子結(jié)構(gòu)118
5.3半導(dǎo)體量子點(diǎn)的發(fā)光性能120
5.3.1體相半導(dǎo)體材料的發(fā)光過程120
5.3.2半導(dǎo)體量子點(diǎn)的發(fā)光過程121
5.4半導(dǎo)體量子點(diǎn)的光學(xué)性能表征123
5.4.1半導(dǎo)體量子點(diǎn)的吸收光譜123
5.4.2半導(dǎo)體量子點(diǎn)的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜124
5.4.3半導(dǎo)體量子點(diǎn)的時間分辨發(fā)射光譜125
5.4.4半導(dǎo)體量子點(diǎn)的光致發(fā)光量子產(chǎn)率127
5.5半導(dǎo)體量子點(diǎn)的合成130
5.5.1Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體量子點(diǎn)132
5.5.2Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體量子點(diǎn)136
5.5.3Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體量子點(diǎn)137
5.5.4Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半導(dǎo)體量子點(diǎn)140
5.6半導(dǎo)體量子點(diǎn)的功能化修飾145
5.6.1半導(dǎo)體量子點(diǎn)的核殼結(jié)構(gòu)145
5.6.2半導(dǎo)體量子點(diǎn)的表面配體修飾147
參考文獻(xiàn)150
第6章半導(dǎo)體量子點(diǎn)電致發(fā)光器件/154
6.1半導(dǎo)體量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)展歷史154
6.2半導(dǎo)體量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)156
6.2.1半導(dǎo)體量子點(diǎn)/有機(jī)層結(jié)構(gòu)156
6.2.2有機(jī)層/半導(dǎo)體量子點(diǎn)/有機(jī)層結(jié)構(gòu)157
6.2.3無機(jī)層/半導(dǎo)體量子點(diǎn)/無機(jī)層結(jié)構(gòu)158
6.2.4有機(jī)層/半導(dǎo)體量子點(diǎn)/無機(jī)層結(jié)構(gòu)160
6.3半導(dǎo)體量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的制備164
6.3.1溶液成膜技術(shù)165
6.3.2光刻技術(shù) 167
6.3.3物理氣相沉積技術(shù)167
6.4半導(dǎo)體量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的性能優(yōu)化168
6.4.1半導(dǎo)體量子點(diǎn)表面修飾和改性168
6.4.2器件的界面工程170
6.5半導(dǎo)體量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的性能評估174
6.6半導(dǎo)體量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的展望176
參考文獻(xiàn)177
第7章鹵素鈣鈦礦材料及其電致發(fā)光器件/181
7.1鹵素鈣鈦礦材料的結(jié)構(gòu)及發(fā)光特點(diǎn)181
7.1.1鹵素鈣鈦礦材料的結(jié)構(gòu)181
7.1.2鹵素鈣鈦礦材料的發(fā)光特點(diǎn)184
7.2鹵素鈣鈦礦材料的制備方法185
7.2.1鹵素鈣鈦礦薄膜的制備方法185
7.2.2鹵素鈣鈦礦量子點(diǎn)的制備方法187
7.3基于鹵素鈣鈦礦材料的電致發(fā)光器件發(fā)展191
7.4鹵素鈣鈦礦電致發(fā)光器件性能提升策略192
7.4.1鈣鈦礦薄膜質(zhì)量的優(yōu)化192
7.4.2鹵素鈣鈦礦材料組分和結(jié)構(gòu)優(yōu)化194
7.4.3鹵素鈣鈦礦電致發(fā)光器件的界面工程197
7.5鈣鈦礦發(fā)光材料與器件的展望199
參考文獻(xiàn)200