晶圓級應(yīng)變SOI技術(shù)

　　進(jìn)入21世紀(jì)以來， 應(yīng)變硅和SOI（Silicon-On-Insulator， 絕緣體上硅）被公認(rèn)為是深亞微米和納米工藝制程維持摩爾定律（Moore’s Law）和后摩爾定律的兩大關(guān)鍵技術(shù)， 也被稱為21世紀(jì)的硅集成電路技術(shù)。本書共分7章， 主要介紹SOI晶圓制備技術(shù)、SOI晶圓材料力學(xué)特性與結(jié)構(gòu)特性、機(jī)械致晶圓級單軸應(yīng)變SOI技術(shù)、高應(yīng)力氮化硅薄膜致晶圓級應(yīng)變SOI技術(shù)及其相關(guān)效應(yīng)、高應(yīng)力氮化硅薄膜致晶圓級應(yīng)變SOI晶圓制備、晶圓級應(yīng)變SOI應(yīng)變模型、晶圓級應(yīng)變SOI應(yīng)力分布的有限元計(jì)算。本書主要面向硅基應(yīng)變半導(dǎo)體理論與技術(shù)領(lǐng)域的研究者， 同時(shí)也可作為本科微電子科學(xué)與工程專業(yè)和研究生微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)相關(guān)課程的教學(xué)參考書。

暫缺《晶圓級應(yīng)變SOI技術(shù)》作者簡介