先進(jìn)復(fù)合材料高溫?zé)峁ぱb備

第1章 復(fù)合材料概論
1.1 復(fù)合材料的組成特點(diǎn)及分類(lèi)
1.2 陶瓷基復(fù)合材料的性能與用途
1.2.1 陶瓷基復(fù)合材料的組成特點(diǎn)及分類(lèi)
1.2.2 陶瓷基復(fù)合材料的性能特點(diǎn)及應(yīng)用
1.2.3 陶瓷基復(fù)合材料的主要制備工藝
1.3 碳基復(fù)合材料的性能與用途
1.3.1 碳基復(fù)合材料的組成特點(diǎn)及分類(lèi)
1.3.2 碳/碳(C1/C)復(fù)合材料的性能特點(diǎn)及應(yīng)用
1.3.3 碳基復(fù)合材料的主要制備工藝
1.4 金屬基復(fù)合材料的性能與用途
1.4.1 金屬基復(fù)合材料的組成特點(diǎn)及分類(lèi)
1.4.2 金屬基復(fù)合材料的性能特點(diǎn)及應(yīng)用
1.4.3 金屬基復(fù)合材料的主要制備工藝
1.5 耐高溫 復(fù)合材料的工藝共性
1.6 復(fù)合材料高溫?zé)峁ぱb備發(fā)展趨勢(shì)
第2章 復(fù)合材料高溫?zé)峁ぱb備關(guān)鍵分系統(tǒng)及要求
2.1 概述
2.2 爐殼系統(tǒng)
2.2.1 系統(tǒng)概述
2.2.2 爐殼主要結(jié)構(gòu)形式
2.2.3 爐筒主要結(jié)構(gòu)形式
2.2.4 封頭/爐門(mén)(蓋)結(jié)構(gòu)
2.2.5 爐筒壁厚的設(shè)計(jì)計(jì)算要點(diǎn)
2.2.6 爐殼制造的要點(diǎn)
2.2.7 封頭結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)特點(diǎn)
2.2.8 開(kāi)孔補(bǔ)強(qiáng)設(shè)計(jì)計(jì)算方法和一般規(guī)定
2.3 隔熱保溫系統(tǒng)
2.3.1 系統(tǒng)概述
2.3.2 常見(jiàn)非金屬隔熱屏及其保溫材料
2.3.3 常見(jiàn)隔熱保溫系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
2.4 加熱系統(tǒng)
2.4.1 系統(tǒng)概述
2.4.2 加熱功率的確定
2.4.3 電阻電熱元件材料
2.4.4 電阻電熱元件的結(jié)構(gòu)
2.4.5 電阻電熱元件的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
2.5 真空系統(tǒng)
2.5.1 真空爐真空系統(tǒng)的組成
2.5.2 真空系統(tǒng)的設(shè)計(jì)計(jì)算
2.5.3 常用真空泵工作原理及特點(diǎn)
2.6 冷卻系統(tǒng)
2.6.1 真空爐水冷系統(tǒng)的組成
2.6.2 真空爐水冷系統(tǒng)主要設(shè)計(jì)參數(shù)計(jì)算
2.7 電控系統(tǒng)
2.7.1 電控系統(tǒng)設(shè)計(jì)一般要求
2.7.2 智能電控系統(tǒng)主要組成及主要功能特點(diǎn)
2.8 其他系統(tǒng)
2.8.1 氣路系統(tǒng)
2.8.2 進(jìn)出料系統(tǒng)
第3章 復(fù)合材料高溫?zé)峁ぱb備關(guān)鍵分系統(tǒng)數(shù)值模擬
3.1 概述
3.2 數(shù)值模擬方法與原理介紹
3.2.1 理論基礎(chǔ)
3.2.2 數(shù)值計(jì)算方法
3.2.3 商業(yè)軟件概況
3.3 熱工裝備關(guān)鍵組成的數(shù)值模擬應(yīng)用實(shí)例
3.3.1 一般流程
3.3.2 應(yīng)用實(shí)例l——某真空爐進(jìn)氣方案的數(shù)值模擬與優(yōu)化
3.3.3 應(yīng)用實(shí)例2——碳化硅涂層化學(xué)氣相沉積爐關(guān)鍵設(shè)計(jì)的數(shù)值模擬研究
第4章 復(fù)合材料典型高溫?zé)峁ぱb備簡(jiǎn)述
4.1 化學(xué)氣相沉積爐
4.1.1 概述
4.1.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.1.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.2 化學(xué)氣相滲透爐
4.2.1 概述
4.2.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.2.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.3 真空碳化爐
4.3.1 概述
4.3.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.3.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.4 真空石墨化爐
4.4.1 概述
4.4.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.4.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.5 真空裂解爐
4.5.1 概述
4.5.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.5.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.6 真空滲硅爐
4.6.1 概述
4.6.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.6.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.7 氣壓燒結(jié)爐
4.7.1 概述
4.7.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.7.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.8 壓力熔滲爐
4.8.1 概述
4.8.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.8.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
第5章 復(fù)合材料高溫化學(xué)氣相沉積裝備關(guān)鍵分系統(tǒng)設(shè)計(jì)與應(yīng)用實(shí)例
5.1 CVD SiC工藝原理及特點(diǎn)
5.2 MS CVD SiC初始工藝條件
5.2.1 原材料
5.2.2 初始工藝參數(shù)
5.3 工藝及沉積室的數(shù)值模擬
5.3.1 初始條件
5.3.2 Comsol模擬計(jì)算
5.3.3 模擬計(jì)算結(jié)果
5.4 裝備及工藝驗(yàn)證
5.4.1 裝備驗(yàn)證
5.4.2 工藝驗(yàn)證
參考文獻(xiàn)