高k柵介質(zhì)材料與器件集成

定　價：￥79.00

作　者：	何剛
出版社：	清華大學(xué)出版社
叢編項：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787302639145	出版時間：	2023-08-01	包裝：	平裝
開本：		頁數(shù)：	272	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書旨在向材料及微電子集成相關(guān)專業(yè)的高年級本科生、研究生及從事材料與器件集成行業(yè)的科研人員介紹柵介質(zhì)材料制備與相關(guān)器件集成的專業(yè)技術(shù)。本書共10章，包括了集成電路的發(fā)展趨勢及后摩爾時代的器件挑戰(zhàn)，柵介質(zhì)材料的基本概念及物理知識儲備，柵介質(zhì)材料的基本制備技術(shù)及表征方法；著重介紹了柵介質(zhì)材料在不同器件中的集成應(yīng)用，如高κ與金屬柵、場效應(yīng)晶體管器件、薄膜晶體管器件、存儲器件及神經(jīng)形態(tài)器件等。本書包含柵介質(zhì)材料的基本制備技術(shù)，同時突出了柵介質(zhì)材料在器件應(yīng)用中的性和前沿性，反映了后摩爾時代器件集成的**研究進展，是理論與實踐應(yīng)用的有機結(jié)合。

作者簡介

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圖書目錄

第1章緒論
1.1 引言
1.2 集成電路發(fā)展及趨勢
1.2.1 集成電路的介紹
1.2.2 集成電路的現(xiàn)狀
1.2.3 集成電路的發(fā)展趨勢
1.2.4 我國集成電路產(chǎn)業(yè)前景展望
1.3 后摩爾時代新材料、新技術(shù)及新挑戰(zhàn)
1.3.1 工藝新材料
1.3.2 新器件結(jié)構(gòu)
1.3.3 工藝新技術(shù)
1.3.4 后摩爾時代集成電路展望與挑戰(zhàn)
課后習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2章高κ柵介質(zhì)的物理基礎(chǔ)
2.1 高κ柵介質(zhì)的基本概念及優(yōu)勢
2.1.1 高κ柵介質(zhì)的引入
2.1.2 高κ柵介質(zhì)的優(yōu)勢
2.2 高κ柵介質(zhì)的結(jié)構(gòu)調(diào)控及理論機制
2.2.1 高κ柵介質(zhì)的MOS電容結(jié)構(gòu)
2.2.2 高κ柵介質(zhì)的理論機制
2.3 高κ柵介質(zhì)的選擇要求
2.4 高κ柵介質(zhì)的分類及特點
2.4.1 硅的氮（氧）化物及其特點
2.4.2 ⅢA族金屬氧化物
2.4.3 ⅣB族和ⅤB族過渡金屬氧化物
2.4.4 ⅢB族稀土金屬氧化物
2.5 高κ柵介質(zhì)面臨的問題和挑戰(zhàn)
課后習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3章高κ柵介質(zhì)的制備及表征
3.1 高κ柵介質(zhì)材料的制備
3.1.1 真空蒸鍍法
3.1.2 磁控濺射法
3.1.3 原子層沉積法
3.1.4 分子束外延法
3.1.5 脈沖激光沉積法
3.1.6 溶液基制備方法
3.2 高κ柵介質(zhì)性能的表征
3.2.1 光學(xué)性能的表征
3.2.2 熱重性能的表征
3.2.3 結(jié)晶性能的表征
3.2.4 化學(xué)局域態(tài)的表征
3.2.5 表面形貌的表征
3.2.6 界面微結(jié)構(gòu)的表征
3.2.7 潤濕性能的表征
課后習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4章稀土基高κ柵介質(zhì)及MOS器件集成
4.1 稀土簡介