圖解入門-功率半導(dǎo)體基礎(chǔ)與工藝精講（原書第3版）

前言
詞語表述和閱讀方法說明
第1章 功率半導(dǎo)體的全貌/
1-1功率半導(dǎo)體到底是什么/
1-2把功率半導(dǎo)體比作人的身體/
1-3身邊的功率半導(dǎo)體/
1-4電子信息產(chǎn)業(yè)中功率半導(dǎo)體的定位/
1-5半導(dǎo)體器件中的功率半導(dǎo)體/
1-6晶體管構(gòu)造的差異/
第2章 功率半導(dǎo)體的基本原理/
2-1半導(dǎo)體的基本原理/
2-2關(guān)于PN結(jié)/
2-3晶體管的基本原理/
2-4雙極型晶體管的基本原理/
2-5MOS晶體管的基本原理/
2-6功率半導(dǎo)體的歷史回顧/
2-7功率型MOSFET的登場/
專欄：單面與雙面/
2-8雙極型晶體管與MOSFET的結(jié)合——IGBT的登場/
2-9信號轉(zhuǎn)換/
第3章 各種功率半導(dǎo)體的原理和作用/
3-1單向?qū)ǖ亩O管/
3-2大電流雙極型晶體管/
3-3雙向晶閘管/
3-4具有高速開關(guān)特性的功率型MOSFET/
3-5環(huán)保時(shí)代的IGBT/
3-6功率半導(dǎo)體課題的探索/
第4章 功率半導(dǎo)體的用途與市場/
4-1功率半導(dǎo)體的市場規(guī)模/
4-2電力基礎(chǔ)設(shè)施與功率半導(dǎo)體/
4-3交通工具與功率半導(dǎo)體/
4-4汽車與功率半導(dǎo)體/
4-5辦公與功率半導(dǎo)體/
4-6家用電器與功率半導(dǎo)體/
第5章 功率半導(dǎo)體的分類/
5-1按用途分類/
5-2按材料分類/
5-3按構(gòu)造、原理分類/
5-4從額定參數(shù)看功率半導(dǎo)體/
第6章 用于功率半導(dǎo)體的硅片/
6-1硅片是什么/
6-2硅片的制造方法與差異/
6-3FZ硅晶體的特點(diǎn)/
6-4FZ硅片為何重要/
6-5硅材料的局限/
第7章 功率半導(dǎo)體制造工藝的特點(diǎn)/
7-1功率半導(dǎo)體與集成電路的區(qū)別/
7-2器件構(gòu)造的研究/
7-3外延生長法的廣泛應(yīng)用/
7-4正反面曝光工藝/
專欄：關(guān)于校準(zhǔn)器的回憶/
7-5反面雜質(zhì)激活/
7-6晶圓減薄工藝/
7-7后段工藝與前段工藝的差異/
7-8切割工藝的小差異/
7-9芯片鍵合工藝的特點(diǎn)/
7-10引線鍵合使用更寬的引線/
7-11封裝材料的不同/
第8章 功率半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)介紹/
8-1摩爾定律路線圖走到盡頭/
專欄：路線圖就是領(lǐng)跑者/
8-2氣勢高漲的“日之丸”功率半導(dǎo)體/
8-3保持垂直統(tǒng)合模式的綜合性電氣企業(yè)/
8-4專業(yè)企業(yè)如何生存/
8-5歐洲生產(chǎn)企業(yè)是垂直統(tǒng)合模式嗎/
專欄：以創(chuàng)始人名字命名的公司/
8-6美國企業(yè)的動向/
第9章 硅基功率半導(dǎo)體的發(fā)展/
9-1功率半導(dǎo)體的時(shí)代/
9-2IGBT所要求的性能/
9-3穿通與非穿通型IGBT/
9-4場截止型IGBT的登場/
9-5IGBT的發(fā)展趨勢探索/
9-6功率半導(dǎo)體在智能功率模塊（IPM）中的進(jìn)展/
9-7冷卻與功率半導(dǎo)體/
第10章 挑戰(zhàn)硅極限的碳化硅與氮化鎵/
10-18英寸碳化硅晶圓的出現(xiàn)/
10-2碳化硅晶圓的制造方法/
10-3碳化硅的優(yōu)點(diǎn)與研究課題有哪些/
10-4實(shí)用性不斷提升的碳化硅晶片/
10-5氮化鎵晶圓的難題——異質(zhì)外延/
10-6氮化鎵的優(yōu)點(diǎn)與挑戰(zhàn)/
10-7氮化鎵常閉型器件的挑戰(zhàn)/
10-8晶圓生產(chǎn)企業(yè)的動向/
專欄：時(shí)代總是在循環(huán)/
第11章 功率半導(dǎo)體開拓的碳減排時(shí)代/
11-1碳減排時(shí)代與功率半導(dǎo)體/
11-2對可再生能源而言不可或缺的功率半導(dǎo)體/
11-3智能電網(wǎng)與功率半導(dǎo)體/
11-4電動汽車（EV）與功率半導(dǎo)體/
11-5 21世紀(jì)交通基礎(chǔ)設(shè)施與功率半導(dǎo)體/
11-6跨領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體技術(shù)令人期待/
專欄：基礎(chǔ)材料和核心器件/
參考文獻(xiàn)/