III-V族異質(zhì)結(jié)雙極晶體管：從器件工作原理到電路模型

第1章 緒論
1.1 微波射頻異質(zhì)結(jié)品體管的分類
1.2 異質(zhì)結(jié)品休管的特性指標
1.3 半導體器件射頻微波建模和測試
1.4 本書的目標和結(jié)構(gòu)
參考文獻
第2章 半導體器件建模中的去嵌方法
2.1 基本網(wǎng)絡參數(shù)
2.1.1 信號參數(shù)
2.1.2 信號參數(shù)之間的關(guān)系
2.2 二口網(wǎng)絡的噪聲特性
2.2.1 噪聲相關(guān)矩陣
2.2.2 噪聲相關(guān)矩陣之間的關(guān)系
2.3 二口網(wǎng)絡的互聯(lián)
2.4 寄生元件削去方法
2.4.1 并聯(lián)寄生元件削去方法
2.4.2 串聯(lián)寄生元件削去方法
2.4.3 級聯(lián)寄生元件削去方法
2.5 HBT器件寄生元件的去嵌方法
2.5.1 PAD電容的去嵌方法
2.5.2 寄生電感的去嵌方法
2.5.3 寄生電阻的去嵌方法
2.6 本章小結(jié)
參考文獻
第3章 HBT器件基本工作原理
3.1 PN結(jié)二極管
3.2 雙極晶體管工作原理
3.2.1 工作機理
3.2.2 工作模式
3.2.3 基區(qū)寬度調(diào)制效應
3.2.4 大電流注入效應
3.3 異質(zhì)結(jié)晶體管工作原理
3.3.1 半導體異質(zhì)結(jié)工作原理
3.3.2 常用HBT器件的物理結(jié)構(gòu)和工作機理
3.4 本章小結(jié)
參考文獻
第4章 寄生元件提取方法
4.1 HBT器件寄生元件網(wǎng)絡
4.2 PAD電容提取方法
4.2.1 開路測試結(jié)構(gòu)提取方法
4.2.2 截止狀態(tài)提取方法
4.2.3 考慮分布效應的提取方法
4.3 寄生電感提取方法
4.3.1 短路測試結(jié)構(gòu)提取方法
4.3.2 集電極開路提取方法
4.3.3 饋線的趨膚效應
4.4 寄生電阻提取方法
4.4.1 集電極開路方法
4.4.2 Z參數(shù)方法
4.4.3 截止狀態(tài)方法