深入淺出SSD：固態(tài)存儲(chǔ)核心技術(shù)、原理與實(shí)戰(zhàn)（第2版）

定　價(jià)：￥129.00

作　者：	SSDFans 胡波石亮岑彪
出版社：	機(jī)械工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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當(dāng)當(dāng)網(wǎng) (￥96.70)

ISBN：	9787111731986	出版時(shí)間：	2023-08-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁(yè)數(shù)：		字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書從基礎(chǔ)認(rèn)知、核心技術(shù)、協(xié)議、測(cè)試和閃存系統(tǒng)五個(gè)方面對(duì)SSD固態(tài)存儲(chǔ)進(jìn)行全面且深入解讀。相較于第1版，本書新增了近40%的新內(nèi)容，并對(duì)之前20%左右的過(guò)時(shí)內(nèi)容進(jìn)行了更新或刪減?；A(chǔ)概念部分，新增了近3年固態(tài)存儲(chǔ)市場(chǎng)和閃存市場(chǎng)的變化，并重點(diǎn)介紹了一些特殊的SSD存儲(chǔ)的知識(shí)，包括可計(jì)算存儲(chǔ)、工業(yè)存儲(chǔ)、混合存儲(chǔ)以及相關(guān)產(chǎn)品架構(gòu)。核心技術(shù)部分，除原有的主控、存儲(chǔ)介質(zhì)、他、FTL、ECC的原理和實(shí)現(xiàn)外，還專門增加了SSD主控、3D NAND、QLC閃存、新型存儲(chǔ)器與SCM、混合式FTL等重點(diǎn)和熱點(diǎn)技術(shù)。協(xié)議部分在原有基礎(chǔ)上對(duì)PCIe、NVMe進(jìn)行了近30%的新內(nèi)容擴(kuò)展，同時(shí)新增了對(duì)UFS協(xié)議的介紹和解讀。測(cè)試部分基本都是新內(nèi)容，主要介紹了與SSD相關(guān)的測(cè)試基本概念、原理、落地方法和工具。擴(kuò)展部分是全新的章節(jié)，主要對(duì)閃存文件系統(tǒng)進(jìn)行深入解讀，這是當(dāng)前各大SSD廠商及相關(guān)從業(yè)者關(guān)心的內(nèi)容。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《深入淺出SSD：固態(tài)存儲(chǔ)核心技術(shù)、原理與實(shí)戰(zhàn)（第2版）》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

目　　錄
贊譽(yù)
序1
序2
前言
產(chǎn)品與市場(chǎng)篇
第1章　SSD綜述　2
1.1　引子　2
1.2　SSD與HDD　4
1.3　固態(tài)存儲(chǔ)及SSD技術(shù)發(fā)展史　7
1.4　SSD基本工作原理　15
1.5　SSD產(chǎn)品核心指標(biāo)　17
1.5.1　基本信息剖析　18
1.5.2　性能剖析　21
1.5.3　壽命剖析　24
1.5.4　數(shù)據(jù)可靠性剖析　26
1.5.5　功耗和其他剖析　29
1.5.6　SSD系統(tǒng)兼容性　32
1.6　接口形態(tài)　33
1.6.1　2.5in　35
1.6.2　M.2　35
1.6.3　BGA SSD　37
1.6.4　U.2　38
1.6.5　EDSFF　38
第2章　SSD及閃存市場(chǎng)　43
2.1　SSD市場(chǎng)　43
2.1.1　消費(fèi)級(jí)SSD取代HDD　43
2.1.2　SSD和HDD應(yīng)用場(chǎng)合　45
2.1.3　SSD市場(chǎng)情況　45
2.1.4　國(guó)產(chǎn)SSD廠商和產(chǎn)品　46
2.2　閃存市場(chǎng)　57
2.2.1　最新原廠動(dòng)態(tài)　57
2.2.2　閃存發(fā)展趨勢(shì)　72
第3章　專用SSD存儲(chǔ)　76
3.1　可計(jì)算存儲(chǔ)　76
3.1.1　可計(jì)算存儲(chǔ)的誕生背景　76
3.1.2　可計(jì)算存儲(chǔ)的應(yīng)用探索　78
3.1.3　可計(jì)算存儲(chǔ)的成功案例　84
3.1.4　可計(jì)算存儲(chǔ)的前景展望　86
3.2　航天存儲(chǔ)　87
3.2.1　背景　87
3.2.2　航天存儲(chǔ)系統(tǒng)技術(shù)現(xiàn)狀與
發(fā)展趨勢(shì)　88
核心技術(shù)篇
第4章　SSD主控　94
4.1　解讀控制器架構(gòu)　94
4.2　SSD主控廠商　99
4.2.1　SSD主控國(guó)際大廠　100
4.2.2　SSD主控國(guó)內(nèi)廠商　103
第5章　NAND閃存　122
5.1　閃存基本原理　122
5.1.1　存儲(chǔ)單元及相關(guān)操作　122
5.1.2　閃存類型　125
5.1.3　閃存組織結(jié)構(gòu)　128
5.1.4　擦、寫、讀操作　130
5.1.5　閾值電壓分布圖　133
5.2　閃存可靠性問(wèn)題　136
5.2.1　磨損　136
5.2.2　讀干擾　137
5.2.3　寫干擾和抑制編程干擾　138
5.2.4　數(shù)據(jù)保持　140
5.2.5　存儲(chǔ)單元之間的干擾　141
5.3　數(shù)據(jù)可靠性問(wèn)題的解決方案　142
5.4　3個(gè)與性能相關(guān)的閃存特性　144
5.4.1　多Plane操作　144
5.4.2　緩存讀寫操作　146
5.4.3　異步Plane操作　147
5.5　3D閃存　148
5.5.1　使用3D技術(shù)提高閃存密度　148
5.5.2　3D閃存存儲(chǔ)單元　150
5.5.3　3D閃存組織結(jié)構(gòu)　152
5.5.4　3D閃存外圍電路架構(gòu)　154
第6章　FTL詳解　156
6.1　FTL綜述　156
6.2　映射管理　158
6.2.1　映射的種類　158
6.2.2　映射的基本原理　160
6.2.3　HMB　163
6.2.4　映射表寫入　164
6.3　垃圾回收　165
6.3.1　垃圾回收原理　165
6.3.2　寫放大　174
6.3.3　垃圾回收實(shí)現(xiàn)　176
6.3.4　垃圾回收時(shí)機(jī)　187
6.4　解除映射關(guān)系　187
6.5　磨損均衡　189
6.6　掉電恢復(fù)　191
6.7　壞塊管理　193
6.7.1　壞塊鑒別　194
6.7.2　壞塊管理策略　195
6.8　SLC緩存　196
6.8.1　SLC緩存寫入策略和分類　196
6.8.2　讀寫過(guò)程　197
6.8.3　數(shù)據(jù)遷移　198
6.9　讀干擾和數(shù)據(jù)保持　199
第7章　ECC原理　202
7.1　信號(hào)和噪聲　202
7.2　通信系統(tǒng)模型　203
7.3　糾錯(cuò)編碼的基本思想　204
7.3.1　編碼距離　205
7.3.2　線性糾錯(cuò)碼的基石—奇偶
校驗(yàn)　205
7.3.3　校驗(yàn)矩陣H和生成矩陣G　206
7.4　LDPC原理簡(jiǎn)介　207
7.4.1　LDPC是什么　207
7.4.2　Tanner圖　208
7.5　LDPC解碼　209
7.5.1　Bit-f?lipping算法　209
7.5.2　和積信息傳播算法　211
7.6　LDPC編碼　216
7.7　LDPC糾錯(cuò)碼編解碼器在SSD
中的應(yīng)用　217
協(xié)　議　篇
第8章　PCIe介紹　222
8.1　從PCIe的速度說(shuō)起　222
8.2　PCIe拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)　225
8.3　PCIe分層結(jié)構(gòu)　228
8.4　PCIe TLP類型　231
8.5　PCIe TLP結(jié)構(gòu)　234
8.6　PCIe配置和地址空間　239
8.7　TLP的路由　244
8.8　數(shù)據(jù)鏈路層　251
8.9　物理層　256
8.10　PCIe重置　259
8.11　PCIe最大有效載荷和最大讀
請(qǐng)求　264
8.12　PCIe SSD熱插拔　265
8.13　SSD PCIe鏈路性能損耗分析　266
8.14　PCIe省電模式ASPM　269
8.15　PCIe其他省電模式　272
8.16　PCIe 4.0和5.0介紹　273
8.17　SR-IOV　274
第9章　NVMe介紹　277
9.1　AHCI到NVMe　277
9.2　NVMe綜述　279
9.3　吉祥三寶：SQ、CQ和DB　283
9.4　尋址雙雄：PRP和SGL　289
9.5　Trace分析　295
9.6　端到端數(shù)據(jù)保護(hù)　299
9.7　Namespace　303
9.8　NVMe動(dòng)態(tài)電源管理　308
9.9　NVMe over Fabrics　312
9.9.1　概述　314
9.9.2　NVMe over RDMA概述　318
9.9.3　NVMe over TCP概述　322
9.9.4　案例解讀　325
9.9.5　全閃存陣列　334
9.10　ZNS簡(jiǎn)介　347