本書改編自東芝株式會社內部培訓用書。為了讓讀者理解以硅(Si)為中心的半導體元器件,筆者用了大量的圖解方式進行說明。理解半導體元器件原理有效的圖,其實是能帶圖。全書共7章,包括半導體以及MOS晶體管的簡單說明、半導體的基礎物理、PN結二極管、雙極性晶體管、MOS電容器、MOS晶體管和超大規(guī)模集成電路器件。在本書后,附加了常量表、室溫下(300K)的Si基本常量、MOS晶體管、麥克斯韋玻爾茲曼分布函數、關于電子密度n以及空穴密度p的公式、質量作用定律、PN結的耗盡層寬度、載流子的產生與復合、小信號下的共發(fā)射極電路的電流放大倍數、帶隙變窄以及少數載流子遷移率、閾值電壓Vth、關于漏極電流ID飽和的解釋。本書主要面向具有高中數理基礎的半導體初學者,也可供半導體、芯片從業(yè)者閱讀。