車用功率半導體器件設計與應用

定　價：￥58.00

作　者：	（日）巖室憲幸著；馬京任譯
出版社：	科學出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787030736321	出版時間：	2023-01-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內容簡介

　　《車用功率半導體器件設計與應用》使用大量圖表，通俗易懂地講解功率器件的運行和設計技術，其中，第1章概述功率器件在電路運行中的作用以及功率器件的種類，同時解釋為何功率MOSFET和IGBT已成為當前功率器件的主角；第2章和第3章講述硅功率MOSFET和IGBT，從基本單元結構描述制造過程，然后以淺顯易懂的方式解釋器件的基本操作，此外，還提到了功率器件所需的各種特性，并加入改進這些特性的最新器件技術的說明；第4章以肖特基勢壘二極管和PIN二極管為中心進行講述；第5章概述SiC功率器件，講解二極管、MOSFET和封裝技術，對于最近取得顯著進展的最新的SiC MOSFET器件設計技術也進行了詳細介紹。

作者簡介

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圖書目錄

目錄
第1章車用功率器件 1
1.1 簡介 3
1.2 電壓型逆變器和電流型逆變器 5
1.3 功率器件的作用 7
1.4 功率器件的類型 11
1.5 MOSFET和IGBT的興起 12
1.6 近期功率器件技術趨勢 14
1.7 車用功率器件 15
1.8 車用功率器件的種類 17
參考文獻 19
第2章硅MOSFET 21
2.1 簡介 23
2.2 功率MOSFET 24
2.2.1 基本單元結構 24
2.2.2 功率MOSFET制作工藝 25
2.2.3 MOS結構的簡單基礎理論 26
2.2.4 常開特性和常閉特性 32
2.2.5 電流-電壓特性 34
2.2.6 漏極-源極間的耐壓特性 35
2.2.7 功率MOSFET的導通電阻 39
2.2.8 功率MOSFET的開關特性 43
2.2.9 溝槽柵極功率MOSFET 46
2.2.10 最先進的硅功率MOSFET 47
2.2.11 MOSFET內置二極管 54
2.2.12 外圍耐壓區(qū) 56
參考文獻 60
第3章硅IGBT 63
3.1 簡介 65
3.2 基本單元結構 65
3.3 IGBT的誕生 66
3.4 電流-電壓特性 68
3.5 集電極-發(fā)射極間的耐壓特性 69
3.6 IGBT的開關特性 71
3.6.1 導通特性 73
3.6.2 關斷特性 76
3.7 IGBT的破壞耐量（安全工作區(qū)域） 79
3.7.1 IGBT關斷時的破壞耐量 79
3.7.2 IGBT負載短路時的破壞耐量 80
3.8 IGBT的單元結構 82
3.9 IGBT單元結構的發(fā)展 83
3.9.1 IGBT晶圓減薄工藝 87
3.10 IGBT封裝技術 90
3.11 最新IGBT技術 91
3.11.1 表面單元結構的最新技術 91
3.11.2 逆阻型IGBT和逆導型IGBT 92
3.12 未來展望 95
參考文獻 97
第4章硅二極管 99
4.1 簡介 101
4.2 二極管的電流-電壓特性和反向恢復特性 101
4.3 單極二極管 103
4.3.1 肖特基勢壘二極管（SBD） 103
4.4 雙極二極管 104
4.4.1 PIN二極管 104
4.4.2 SSD和MPS二極管 109
參考文獻 111
第5章 SiC功率器件 113
5.1 簡介 115
5.2 晶體生長和晶圓加工工藝 115
5.3 SiC單極器件和SiC雙極器件 116
5.4 SiC二極管 117
5.4.1 SiC-JBS二極管 119
5.4.2 SiC-JBS制備工藝 121
5.4.3 SiC-JBS二極管外圍耐壓區(qū) 123
5.4.4 SiC-JBS二極管的破壞耐量 125
5.4.5 硅IGBT和SiC-JBS二極管的混合模塊 126
5.4.6 SiC-PIN二極管的正向劣化 126
5.5 SiC-MOSFET 128
5.5.1 SiC-MOSFET制造工藝 130
5.5.2 源極-漏極間的耐壓設計 133
5.5.3 平面MOSFET單元設計 135
5.5.4 SiC溝槽MOSFET 136
5.5.5 SiC溝槽MOSFET制作工藝 137
5.5.6 SiC-MOSFET的破壞耐量解析 139
5.6 最新SiC-MOSFET技術 141
5.6.1 SiC超級結MOSFET 141
5.6.2 新型MOSFET 142
5.7 SiC器件貼裝技術 143
參考文獻 146