寬禁帶半導體氧化鎵：結構、制備與性能

定　價：￥128.00

作　者：	陶緒堂著
出版社：	西安電子科技大學出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787560664446	出版時間：	2022-09-01	包裝：	精裝
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內容簡介

　　氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術及電學性質調控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統(tǒng)闡述了獲得高質量體塊單晶及薄膜的思路和方法，并對氧化鎵的發(fā)展進行了綜述和展望。本書可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業(yè)研究人員及理工科高校教師、研究生、高年級本科生的參考書或工具書，也可供其他對寬禁帶半導體材料氧化鎵感興趣的人員參考。