功率半導體器件封裝技術

定　價：￥99.00

作　者：	朱正宇，王可，蔡志匡，肖廣源著
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111707547	出版時間：	2022-08-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內容簡介

　　本書主要闡述了功率半導體器件封裝技術的發(fā)展歷程及其涉及的材料、工藝、質量控制和產品認證等方面的基本原理和方法。同時對功率半導體器件的電性能測試、失效分析、產品設計、仿真應力分析和功率模塊的封裝技術做了較為系統(tǒng)的分析和闡述，也對第三代寬禁帶功率半導體器件的封裝技術及應用于特殊場景（如汽車和航天領域）的功率器件封裝技術及質量要求進行了綜述。通過對本書的學習，讀者能夠了解和掌握功率半導體器件的封裝技術和質量要求，由此展開并理解各種封裝技術的目的、特點和應用場合，從而深刻理解功率半導體器件的封裝實現(xiàn)過程及其重要性。本書可作為各大專院校微電子、集成電路及半導體封裝專業(yè)開設封裝課程的規(guī)劃教材和教輔用書，也可供工程技術人員及半導體封裝從業(yè)人員參考。

作者簡介

　　本書作者團隊由長期工作在半導體封測行業(yè)及科研研究機構的專業(yè)人士組成，主要成員及簡介如下：朱正宇，通富微電子股份有限公司總監(jiān)，6 sigma黑帶大師。曾在世界著名半導體公司（三星、仙童、霍尼韋爾公司）任職技術經理等職。。熟悉精通半導體封裝，在內互聯(lián)、IGBT、太陽能、射頻及SiC模塊等領域發(fā)表多項國內外專利和文章，長期負責功率器件及汽車半導體業(yè)務的研發(fā)管理、質量改善和精益生產。曾獲2018年南通市紫瑯英才，2019年江海人才。王可，中國科學院微電子所高級工程師，長期從事材料、封裝及可靠性相關的工程和研究工作。主持和參與國家及省部級項目十余項，發(fā)表期刊和會議文章二十余篇、專利二十余項。作為行業(yè)權威標準制定顧問，參與行業(yè)多項權威標準制定。蔡志匡，南京郵電大學教授、博士生導師，南京郵電大學產學研合作處副處長、集成電路科學與工程學院執(zhí)行副院長。入選江蘇省333高層次人才培養(yǎng)工程、江蘇省六大人才高峰、江蘇省青年科技人才托舉工程。研究方向是集成電路測試，主持國家重點研發(fā)計劃等項目二十多項，發(fā)表論文四十余篇，申請專利五十多項。肖廣源，投資創(chuàng)建無錫華友微電子有限公司和上海華友金裕微電子有限公司。主要從事集成電路行業(yè)晶圓、框架以及封裝后的表面處理關鍵制程，處于細分行業(yè)領先地位，并獲得相關專利27項。

圖書目錄

目錄
序
前言
致謝
第章功率半導體封裝的定義和分類1
1.1半導體的封裝1
1.2功率半導體器件的定義3
1.3功率半導體發(fā)展簡史4
1.4半導體材料的發(fā)展6
參考文獻8
第章功率半導體器件的封裝特點9
2.1分立器件的封裝9
2.2功率模塊的封裝12
2.2.1功率模塊封裝結構12
2.2.2智能功率模塊14
2.2.3功率電子模塊15
2.2.4大功率灌膠類模塊16
2.2.5雙面散熱功率模塊16
2.2.6功率模塊封裝相關技術16
參考文獻19
第章典型的功率封裝過程20
3.1基本流程20
3.2劃片20
3.2.1貼膜21
3.2.2膠膜選擇22
3.2.3特殊的膠膜23
3.2.4硅的材料特性25
3.2.5晶圓切割26
3.2.6劃片的工藝27
3.2.7晶圓劃片工藝的重要質量缺陷29
3.2.8激光劃片30
3.2.9超聲波切割32
3.3裝片33
3.3.1膠聯(lián)裝片 34
3.3.2裝片常見問題分析37
3.3.3焊料裝片41
3.3.3.1焊料裝片的過程和原理41
3.3.3.2焊絲焊料的裝片過程46
3.3.3.3溫度曲線的設置48
3.3.4共晶焊接49
3.3.5銀燒結54
3.4內互聯(lián)鍵合 59
3.4.1超聲波壓焊原理60
3.4.2金/銅線鍵合61
3.4.3金/銅線鍵合的常見失效機理72
3.4.4鋁線鍵合之超聲波冷壓焊73
3.4.4.1焊接參數(shù)響應分析74
3.4.4.2焊接材料質量分析76
3.4.5不同材料之間的焊接冶金特性綜述82
3.4.6內互聯(lián)焊接質量的控制85
3.5塑封90
3.6電鍍 93
3.7打標和切筋成形97
參考文獻99
第章功率器件的測試和常見不良分析100
4.1功率器件的電特性測試100
4.1.1MOSFET產品的靜態(tài)參數(shù)測試100
4.1.2動態(tài)參數(shù)測試103
4.1.2.1擊穿特性103
4.1.2.2熱阻103
4.1.2.3柵電荷測試105
4.1.2.4結電容測試106
4.1.2.5雙脈沖測試107
4.1.2.6極限能力測試109
4.2晶圓（CP）測試111
4.3封裝成品測試（FT）113
4.4系統(tǒng)級測試（SLT）115
4.5功率器件的失效分析116
4.5.1封裝缺陷與失效的研究方法論 117
4.5.2引發(fā)失效的負載類型118
4.5.3封裝過程缺陷的分類118
4.5.4封裝體失效的分類123
4.5.5加速失效的因素125
4.6可靠性測試125
參考文獻129
第章功率器件的封裝設計131
5.1材料和結構設計131
5.1.1引腳寬度設計131
5.1.2框架引腳整形設計132
5.1.3框架內部設計132
5.1.4框架外部設計135
5.1.5封裝體設計137
5.2封裝工藝設計139
5.2.1封裝內互聯(lián)工藝設計原則139
5.2.2裝片工藝設計一般規(guī)則140
5.2.3鍵合工藝設計一般規(guī)則141
5.2.4塑封工藝設計145
5.2.5切筋打彎工藝設計146
5.3封裝的散熱設計146
參考文獻150
第章功率封裝的仿真技術151
6.1仿真的基本原理151
6.2功率封裝的應力仿真152
6.3功率封裝的熱仿真156
6.4功率封裝的可靠性加載仿真157
參考文獻161
第章功率模塊的封裝162
7.1功率模塊的工藝特點及其發(fā)展162
7.2典型的功率模塊封裝工藝164
7.3模塊封裝的關鍵工藝170
7.3.1銀燒結171
7.3.2粗銅線鍵合172
7.3.3植PIN174
7.3.4端子焊接176
第章車規(guī)級半導體器件封裝特點及要求178
8.1IATF 16949：2016及汽車生產體系工具179
8.2汽車半導體封裝生產的特點186
8.3汽車半導體產品的品質認證187
8.4汽車功率模塊的品質認證191
8.5ISO 26262介紹193
參考文獻194
第章第三代寬禁帶功率半導體封裝195
9.1第三代寬禁帶半導體的定義及介紹195
9.2SiC的特質及晶圓制備196
9.3GaN的特質及晶圓制備198
9.4第三代寬禁帶功率半導體器件的封裝200
9.5第三代寬禁帶功率半導體器件的應用201
第章特種封裝/宇航級封裝204
10.1特種封裝概述204
10.2特種封裝工藝206
10.3特種封裝常見的封裝失效210
10.4特種封裝可靠性問題213
10.5特種封裝未來發(fā)展217
參考文獻221
附錄半導體術語中英文對照222