寬禁帶器件驅(qū)動(dòng)電路原理分析與設(shè)計(jì)

定　價(jià)：￥69.00

作　者：	秦海鴻，謝昊天，朱梓悅，卜飛飛，劉奧等編
出版社：	北京航空航天大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787512436237	出版時(shí)間：	2022-02-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	268	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)介紹寬禁帶電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電路原理分析與設(shè)計(jì)方法，內(nèi)容包括：緒論；碳化硅器件的基本特性與電壓型驅(qū)動(dòng)電路原理分析；適用于碳化硅器件的典型驅(qū)動(dòng)集成電路和集成驅(qū)動(dòng)板實(shí)例分析；氮化鎵器件的基本特性與驅(qū)動(dòng)電路原理分析；適用于氮化鎵器件的典型驅(qū)動(dòng)集成電路和集成驅(qū)動(dòng)板實(shí)例分析；寬禁帶器件的特色驅(qū)動(dòng)技術(shù)及其發(fā)展方向。本書(shū)可作為高等院校電力電子技術(shù)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及新能源技術(shù)等專業(yè)的本科生、研究生和教師的參考書(shū)，也可供從事寬禁帶器件驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的工程技術(shù)人員以及應(yīng)用寬禁帶器件研制高性能電力電子裝置的工程技術(shù)人員參考。

作者簡(jiǎn)介

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圖書(shū)目錄

第1章緒論
1.1 硅器件的性能限制
1.2 寬禁帶半導(dǎo)體材料特性
1.2.1 碳化硅材料
1.2.2 氮化鎵材料
1.3 .寬禁帶電力電子器件發(fā)展概況
1.3.1 SiC基電力電子器件
1.3.2 GaN基電力電子器件
1.4 寬禁帶器件的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
參考文獻(xiàn)
第2章碳化硅器件的基本特性及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)考慮
2.1 SiC器件的基本特性與參數(shù)
2.1.1 通態(tài)特性及其參數(shù)
2.1.2 阻態(tài)特性及其參數(shù)
2.1.3 開(kāi)關(guān)特性及其參數(shù)
2.1.4 柵極驅(qū)動(dòng)特性及其參數(shù)
2.2 SiC器件對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)要求
2.2.1 SiC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求
2.2.2 其他SiC器件對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求
2.3 SiC MOSFET的電壓型驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法
2.3.1 單管驅(qū)動(dòng)電路
2.3.2 橋臂驅(qū)動(dòng)電路
2.3.3 模塊驅(qū)動(dòng)電路
2.4 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章 SiC MOSFET用柵極驅(qū)動(dòng)集成電路
3.1 IXYS公司柵極驅(qū)動(dòng)集成電路
3.1.1 IXDN609SI單通道高速驅(qū)動(dòng)芯片
3.1.2 IXDD614YI單通道高速驅(qū)動(dòng)芯片
3.1.3 IXDN630Y1單通道高速驅(qū)動(dòng)芯片
3.2 Infineon公司柵極驅(qū)動(dòng)集成電路
3.2.11 ED020I12-F2集成保護(hù)功能的單通道高速驅(qū)動(dòng)芯片
3.2.21 EDI20H12AH集成保護(hù)功能的單通道高速驅(qū)動(dòng)芯片
3.3 Rohm公司柵極驅(qū)動(dòng)集成電路
3.3.1 BM6104FV-C集成保護(hù)功能的單通道高速驅(qū)動(dòng)芯片
3.3.2 BM60051FV-C集成保護(hù)功能的單通道高速驅(qū)動(dòng)芯片
3.4 ST公司柵極驅(qū)動(dòng)集成電路
3.4.1 STGAP1AS集成保護(hù)功能的單通道高速驅(qū)動(dòng)芯片
3.4.2 STGAP2D集成保護(hù)功能的雙通道高速驅(qū)動(dòng)芯片
3.5 Analog Devices公司柵極驅(qū)動(dòng)集成電路
3.6 ON Semiconductor公司柵極驅(qū)動(dòng)集成電路
3.7 NXP公司柵極驅(qū)動(dòng)集成電路
3.8 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 SiC MOSFET集成驅(qū)動(dòng)板應(yīng)用舉例
4.1 Cree公司柵極驅(qū)動(dòng)板
4.1.1 CRD-001型SiC MOSFET單管柵極驅(qū)動(dòng)板
4.1.2 CGD15SG00D2型SiC MOSFET單管柵極驅(qū)動(dòng)板
4.1.3 PT62SCMD12型SiC MOSFET橋臂柵極驅(qū)動(dòng)板
4.1.4 CGD15HB62P1型SiC MOSFET橋臂柵極驅(qū)動(dòng)板
4.1.5 CGD15HB62LP型SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)板
4.1.6 Cree公司CGD12HBXMP型SiC MOSFET橋臂柵極驅(qū)動(dòng)板
4.1.7 CGD15FB45P型三相橋臂SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)板
4.2 Rohm公司柵極驅(qū)動(dòng)板
4.2.1 BM9499H型SiC MOSFET橋臂柵極驅(qū)動(dòng)板
4.2.2 BP59A8H型SiC MOSFET橋臂柵極驅(qū)動(dòng)板
4.3 Infineon公司柵極驅(qū)動(dòng)板
4.4 ST公司柵極驅(qū)動(dòng)板
4.4.1 EVALSTGAP1AS型 SiC MOSFET單管柵極驅(qū)動(dòng)板
4.4.2 EVALSTGAP2DM型 SiC MOSFET橋臂柵極驅(qū)動(dòng)板
4.5 Mircrosemi公司柵極驅(qū)動(dòng)板
4.5.1 MSCSICMDD型SiC MOSFET橋臂柵極驅(qū)動(dòng)板
4.5.2 MSCSICSP3型SiC MOSFET橋臂柵極驅(qū)動(dòng)板
4.6 ON Semiconductor公司柵極驅(qū)動(dòng)板
4.7 NXP公司柵極驅(qū)動(dòng)板
4.8 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 GaN器件的基本特性與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)考慮
5.1 GaN器件的基本特性與參數(shù)
5.1.1 eGaN HEMT的特性與參數(shù)
5.1.2 Cascode GaN HEMT的特性與參數(shù)
5.1.3 GaN GIT的特性與參數(shù)
5.2 GaN器件驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)與要求
5.2.1 eGaN HEMT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求
5.2.2 其他GaN器件對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求
5.3 GaN器件的驅(qū)動(dòng)電路原理與設(shè)計(jì)
5.3.1 eGaN HEMT的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
5.3.2 Cascode GaN HEMT的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
5.3.3 GaN GIT的驅(qū)動(dòng)電路原理與設(shè)計(jì)
5.4 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章 GaN HEMT用柵極驅(qū)動(dòng)集成電路及集成驅(qū)動(dòng)器
6.1 TI公司柵極驅(qū)動(dòng)集成電路
6.2 Silicon Labs公司柵極驅(qū)動(dòng)集成電路
6.2.1 Si8271GB-IS單通道高速驅(qū)動(dòng)芯片
6.2.2 Si8230雙通道高速驅(qū)動(dòng)芯片
6.3 Panasonic公司柵極驅(qū)動(dòng)集成電路
6.4 Infineon公司柵極驅(qū)動(dòng)集成電路
6.5 GalN集成驅(qū)動(dòng)器實(shí)例分析
6.5.1 低壓eGaN HEMT的驅(qū)動(dòng)電路
6.5.2 高壓eGaN HEMT的驅(qū)動(dòng)電路
6.5.3 Cascode GaN HEMT的驅(qū)動(dòng)電路
6.5.4 GaN GIT的驅(qū)動(dòng)電路
6.5.5 CoolGaN HEMT的驅(qū)動(dòng)電路
6.6 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第7章寬禁帶器件驅(qū)動(dòng)技術(shù)的發(fā)展
7.1 柵極主動(dòng)驅(qū)動(dòng)控制技術(shù)
7.2 高溫驅(qū)動(dòng)技術(shù)
7.2.1 分立元件高溫驅(qū)動(dòng)技術(shù)
7.2.2 SOI高溫驅(qū)動(dòng)技術(shù)
7.2.3 全SiC高溫驅(qū)動(dòng)技術(shù)
7.3 集成驅(qū)動(dòng)技術(shù)
7.4 小結(jié)
參考文獻(xiàn)