主動發(fā)光顯示技術

定　價：￥168.00

作　者：	馬群剛，王保平著
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項：	國之重器出版工程
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787121416927	出版時間：	2021-08-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	500	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　微米量級的發(fā)光物體填充像素單元并呈矩陣分布的主動發(fā)光顯示技術，歷史悠久，發(fā)展?jié)摿薮?。本書在結合產(chǎn)學研多年科研成果和工程實踐的基礎上，系統(tǒng)地介紹了主動發(fā)光顯示技術的基本原理、實現(xiàn)技術，以及存在的問題與對策。全書共9章：第1章概述真空陰極射線發(fā)光、光致發(fā)光和電致發(fā)光的發(fā)光原理和相應的顯示技術，第2章和第3章分別介紹屬于真空陰極射線發(fā)光的真空熒光顯示（VFD）技術和場發(fā)射顯示（FED）技術，第4章介紹屬于光致發(fā)光的等離子體顯示（PDP）技術，第5章介紹屬于本征型電致發(fā)光的電致發(fā)光顯示（ELD）技術，第6章至第9章分別介紹屬于注入式電致發(fā)光的發(fā)光二極管（LED）顯示技術、有機發(fā)光二極管（OLED）顯示技術、微型發(fā)光二極管（Micro LED）顯示技術和量子點發(fā)光二極管（QLED）顯示技術。本書可作為高校、科研單位、企業(yè)、政府等機構相關人員理解、應用和發(fā)展新型顯示技術的重要參考資料。

作者簡介

　　馬群剛，浙江東陽人，理學博士，正高級工程師，工業(yè)和信息化部電子科學技術委員會委員，長期從事集成電路與新型顯示領域的科技工作，在新型顯示方向有兩年海外學習經(jīng)歷。主持和參與完成國家科研項目10余項，發(fā)表學術論文30余篇，申請發(fā)明專利70余件，主編國之重器出版工程“新型顯示技術叢書”。王保平，現(xiàn)任東南大學黨委常委、常務副校長，電子科學與工程學院教授、博士生導師。江蘇省“333高層次人才培養(yǎng)工程” 首批中青年科技領軍人才；曾擔任科技部863計劃顯示技術重大專項專家組副組長、總裝備部光電子技術專業(yè)組專家、工業(yè)和信息化部平板顯示技術標準工作組組長、工業(yè)和信息化部電子科技委委員、教育部科技委委員；曾擔任國際信息顯示學會副會長、國際電工委員會電子顯示技術委員會（IEC TC110）主席、國際信息顯示學會（SID）會士（fellow）。主持完成了國家“九五”科技攻關項目1項、國家863計劃項目5項、總裝備部973項目2項和江蘇省科技攻關項目1項、國家重點研發(fā)計劃項目1項，獲江蘇省科技進步一等獎2項。

圖書目錄

目錄
第 1章緒論 001
1．1 主動發(fā)光顯示原理 001
1．1．1 發(fā)光的基本原理 001
1．1．2 發(fā)光與主動發(fā)光顯示 005
1．2 真空陰極射線發(fā)光與顯示 007
1．2．1 真空陰極射線發(fā)光原理 007
1．2．2 基于真空陰極射線發(fā)光的顯示技術 009
1．3 光致發(fā)光與顯示 013
1．3．1 光致發(fā)光原理 013
1．3．2 基于光致發(fā)光的顯示技術 015
1．4 電致發(fā)光與顯示 017
1．4．1 無機電致發(fā)光原理 018
1．4．2 有機電致發(fā)光原理 022
1．4．3 注入式電致發(fā)光與顯示 027
1．4．4 本征型電致發(fā)光與顯示 032
本章參考文獻 034
第 2章 VFD顯示技術 039
2．1 彩色VFD顯示基礎 039
2．1．1 VFD基本結構和功能 039
2．1．2 VFD基本類型和應用 043
2．1．3 彩色VFD顯示技術 046
2．2 VFD設計技術 049
2．2．1 工作電極的設計技術 049
2．2．2 驅動電路的設計技術 053
2．2．3 VFD品質管控與設計 056
2．3 新型VFD顯示技術 058
2．3．1 驅動內(nèi)置VFD顯示技術 058
2．3．2 立體VFD顯示技術 063
本章參考文獻 065
第3章 FED顯示技術 067
3．1 FED顯示基礎 067
3．1．1 FED基本結構與功能 067
3．1．2 場致電子發(fā)射原理 070
3．2 Spindt FED顯示技術 074
3．2．1 Spindt FED顯示原理 074
3．2．2 Spindt FED的場發(fā)射原理 077
3．2．3 Spindt FED制造技術 079
3．2．4 Spindt FED產(chǎn)品技術 083
3．3 新型FED顯示技術 084
3．3．1 DLC FED顯示技術 085
3．3．2 CNT FED顯示技術 088
3．3．3 FAHED顯示技術 091
3．3．4 BSD顯示技術 096
3．3．5 SED顯示技術 102
本章參考文獻 106
第4章 PDP顯示技術 110
4．1 PDP發(fā)光原理 110
4．1．1 PDP的電光特性 110
4．1．2 DC-PDP顯示原理 115
4．1．3 AC-PDP顯示原理 119
4．1．4 PDP結構的改進 124
4．2 PDP工藝技術 126
4．2．1 PDP主要部件與工藝流程 126
4．2．2 前基板的制作工藝 129
4．2．3 后基板的制作工藝 133
4．2．4 總裝工藝 136
4．3 PDP驅動技術 137
4．3．1 PDP驅動電路 137
4．3．2 PDP能量恢復電路 140
4．3．3 PDP灰階顯示與動態(tài)輪廓 144
4．3．4 尋址型多灰階驅動方法 148
4．3．5 表面交替發(fā)光多灰階驅動法 154
4．3．6 降低動態(tài)偽輪廓的驅動法 158
4．4 PDP發(fā)光效率提升技術 164
4．4．1 PDP顯示的發(fā)光效率 165
4．4．2 PDP像素障壁結構的改進 168
4．4．3 PDP電極結構的改進 173
4．4．4 PDP材料改進技術 176
4．4．5 PDP驅動改進技術 180
本章參考文獻 181
第5章 ELD顯示技術 190
5．1 ELD顯示共性技術 190
5．1．1 發(fā)光中心特性 190
5．1．2 基質材料 191
5．1．3 電介質材料 194
5．2 PELD顯示技術 195
5．2．1 AC-PELD顯示技術 195
5．2．2 DC-PELD顯示技術 198
5．2．3 DC-PELD的交流特性 202
5．3 TFELD顯示技術 204
5．3．1 TFELD器件特性 204
5．3．2 TFELD電光特性 207
5．4 TDELD顯示技術 211
5．4．1 TDELD工作原理 211
5．4．2 TDELD彩色顯示技術 214
5．4．3 藍色熒光粉技術 218
5．4．4 TDELD工藝技術 221
本章參考文獻 223
第6章 LED顯示技術 226
6．1 LED發(fā)光原理與特性 226
6．1．1 LED發(fā)光原理 226
6．1．2 LED電學特性 232
6．1．3 LED光學特性 236
6．1．4 LED熱學特性 241
6．2 LED光源技術 246
6．2．1 LED芯片的制造與封裝 246
6．2．2 白光LED技術 250
6．2．3 側光式LED背光源技術 256
6．2．4 直下式LED背光源技術 257
6．3 LED顯示技術 261
6．3．1 LED顯示系統(tǒng)結構及組成 261
6．3．2 LED顯示屏分類 263
6．3．3 LED顯示屏關鍵光電參數(shù) 266
6．3．4 LED顯示屏關鍵技術 273
6．4 LED驅動技術 277
6．4．1 直流驅動技術 278
6．4．2 脈沖驅動和脈沖寬度調(diào)制技術 281
6．4．3 LED級聯(lián)設計 288
6．5 LED顯示圖像質量及均勻度控制技術 290
6．5．1 影響LED圖像質量的顯示控制因素 290
6．5．2 影響LED顯示均勻度的主要因素 299
6．5．3 LED顯示均勻性控制精度 302
6．6 LED發(fā)光效率 309
6．6．1 LED發(fā)光效率與壽命 309
6．6．2 提升發(fā)光效率的芯片技術 313
6．6．3 提升發(fā)光效率的工藝技術 316
6．6．4 提升發(fā)光效率的材料技術 318
本章參考文獻 320
第7章 OLED顯示技術 327
7．1 OLED發(fā)光原理與構造 327
7．1．1 OLED器件結構 327
7．1．2 OLED發(fā)光機理 332
7．1．3 OLED材料技術 335
7．2 OLED工藝技術 342
7．2．1 OLED工藝技術概述 342
7．2．2 清洗和預處理技術 344
7．2．3 真空成膜關鍵技術 346
7．2．4 封裝技術 349
7．3 PLED顯示技術 353
7．3．1 PLED器件結構 353
7．3．2 PLED工作原理 354
7．3．3 PLED材料技術 357
7．3．4 PLED工藝技術 361
7．4 OLED驅動技術 365
7．4．1 OLED驅動技術概述 365
7．4．2 PMOLED驅動技術 367
7．4．3 AMOLED驅動概述 371
7．4．4 電壓編程方式補償像素電路 373
7．4．5 電流編程方式補償像素電路 376
7．4．6 電壓控制型和電流控制型的比較 379
7．5 OLED顯示技術的發(fā)展 381
7．5．1 OLED顯示技術的優(yōu)勢 382
7．5．2 OLED的挑戰(zhàn)與發(fā)展 385
7．5．3 OLED彩色化方案 388
7．5．4 OLED顯示的精細化與大型化 390
本章參考文獻 394
第8章 Micro-LED顯示技術 403
8．1 Micro-LED的基本技術特征 403
8．1．1 Micro-LED技術簡介 403
8．1．2 Micro-LED的襯底和外延技術 405
8．2 無源矩陣Micro-LED陣列 409
8．2．1 無源矩陣Micro-LED陣列制備工藝 409
8．2．2 無源矩陣Micro-LED陣列器件性能 412
8．3 集成于硅基CMOS襯底的有源矩陣Micro-LED陣列 415
8．3．1 有源矩陣Micro-LED器件結構與制備工藝 415
8．3．2 Micro-LED晶圓級整體綁定技術與工藝 420
8．4 集成于TFT基板的有源矩陣Micro-LED陣列 424
8．4．1 GaN Micro-LED的制備及其與柔性像素電路的集成 424
8．4．2 有源矩陣Micro-LED器件性能 427
8．4．3 Micro-LED陣列的巨量轉移與修復技術 430
8．5 Micro-LED彩色顯示 431
8．5．1 紅、綠、藍三色LED組合實現(xiàn)彩色顯示 432
8．5．2 采用色彩轉換的Micro-LED全彩色顯示 435
本章參考文獻 440
第9章 QLED顯示技術 446
9．1 量子點材料技術基礎 446
9．1．1 量子點材料的基本效應 447
9．1．2 量子點發(fā)展歷程 449
9．2 基本發(fā)光原理與發(fā)光特性 450
9．2．1 量子點的光致發(fā)光原理 451
9．2．2 量子點的發(fā)光特性 452
9．3 量子點制造技術 455
9．3．1 量子點合成技術 455
9．3．2 量子點表面工程 458
9．3．3 量子點結構 463
9．3．4 量子點類型 464
9．4 QLED器件的制備技術 468
9．4．1 QLED器件發(fā)展歷史 468
9．4．2 QLED結構分類 472
9．4．3 電荷傳輸層（CTL） 474
9．4．4 電驅動QLED技術 476
9．4．5 限制QLED效率的主要因素 479
9．4．6 QLED器件壽命 484
9．4．7 鎘型QLED顯示技術 485
9．4．8 無鎘型QLED顯示技術 489
本章參考文獻 493