硅基氮化鎵光電探測器的多層異質(zhì)外延生長研究

　　本書為英文圖書，研究了氮化鋁緩沖層對氮化鎵外延層表面形貌和晶體質(zhì)量的影響，討論了氮化鎵異質(zhì)外延生長中鎵擴(kuò)散到硅襯底中并溶解形成鎵—硅合金的途徑，很終經(jīng)過優(yōu)化得以實(shí)現(xiàn)利用等離子輔助分子束外延在硅（111）襯底上生長出無微晶的光滑氮化鎵外延層。作者在優(yōu)化過程中發(fā)現(xiàn)了非晶氮化硅薄層在鎵/硅擴(kuò)散中的阻擋緩沖作用，并利用此緩沖層優(yōu)化了氮化鋁鎵的外延生長，很終實(shí)現(xiàn)了總厚度高達(dá)1.4μm氮化鎵和氮化鋁鎵無裂紋外延層的生長。作者在研究中，利用優(yōu)化生長的外延層，成功地在硅襯底上生長了應(yīng)用于紫外光電探測器的多層結(jié)構(gòu)，并詳細(xì)研究了器件尺寸對紫外光響應(yīng)性的影響；利用優(yōu)化的紫外探測器機(jī)構(gòu)，獲得了應(yīng)用于紫外/紅外雙波段光電探測器的多層結(jié)構(gòu)并取得了0.01 A/W紫外光電響應(yīng)和在4.52μm波長峰值上的近紅外光電響應(yīng)。書稿對這些研究過程與結(jié)果做了學(xué)理性闡釋。

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