集成電路與光刻機

目錄
第1章　集成電路發(fā)展歷程
1.1　從電子管到集成電路 3
1.1.1　從電子管到晶體管 3
1.1.2　從晶體管到集成電路 9
1.2　集成電路的發(fā)展與摩爾定律 15
1.2.1　摩爾定律的提出 15
1.2.2　集成電路集成度的提升 17
1.2.3　集成電路成本的變化 21
1.2.4　集成電路的后摩爾時代 23
第2章　集成電路制造工藝
2.1　平面工藝 28
2.2　光刻工藝 30
3.1　接近/接觸式光刻機 34
第3章　光刻機技術的發(fā)展
3.2　投影光刻機的發(fā)展 36
3.2.1　投影光刻機的誕生 36
3.2.2　投影光刻機曝光方式的演變 37
3.2.3　步進掃描投影光刻機的發(fā)展 42
3.3　光刻分辨率的提升 45
第4章　光刻機整機系統(tǒng)
4.1　光刻機整機基本結構 50
4.2　光刻機主要性能指標 57
4.2.1　分辨率 57
4.2.2　套刻精度 59
4.2.3　產(chǎn)率 60
4.2.4　性能指標的提升 61
4.3　光刻機的技術挑戰(zhàn) 63
第5章　光刻機曝光光源
5.1　汞燈光源 68
5.2　準分子激光光源 70
5.3　EUV光源 73
第6章　光刻機關鍵分系統(tǒng)
6.1　照明系統(tǒng) 79
6.2　投影物鏡系統(tǒng) 83
6.3　工件臺/掩模臺系統(tǒng) 88
6.4　調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng) 93
6.5　對準系統(tǒng) 96
第7章　計算光刻
7.1　光學鄰近效應修正 103
7.2　亞分辨輔助圖形技術 104
7.3　光源掩模聯(lián)合優(yōu)化 106
7.4　反演光刻 107
第8章　光刻機成像質(zhì)量的提升
8.1　光刻機的成像質(zhì)量與主要性能指標 110
8.1.1　成像質(zhì)量的影響因素 110
8.1.2　成像質(zhì)量對光刻機性能指標的影響 111
8.2　光刻機的技術進步與成像質(zhì)量提升 113
8.2.1　光刻機成像質(zhì)量與像質(zhì)控制 113
8.2.2　像質(zhì)控制與光刻機技術進步 115
參考文獻 121