現(xiàn)代晶體學：晶體生長（3）

定　價：￥88.00

作　者：	A.A.Chernov
出版社：	中國科學技術(shù)大學出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787312043529	出版時間：	2019-03-01	包裝：	平裝
開本：	16	頁數(shù)：		字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書是B·K·伐因斯坦（主編）、A·A·契爾諾夫和L·A·舒瓦洛夫主持編寫的《現(xiàn)代晶體學》4卷本中的第3卷，本書的主要作者是A·A·契爾諾夫，參加編寫的還有其他5位專家。本書由結(jié)晶過程和晶體生長兩大部分組成。第一部分包含的內(nèi)容有：平衡、成核和外延、生長機制、雜質(zhì)、質(zhì)量和熱輸運、生長外形及其穩(wěn)定性、缺陷的產(chǎn)生和團塊結(jié)晶等；第二部分介紹氣相生長、溶液生長和熔體生長。本書可作為固體物理、材料科學、晶體學、金屬學、礦物學、化學等專業(yè)的教師、研究生、大學生的教材或教學參考書，并可供有關(guān)科技人員參考。

作者簡介

　　吳自勤，中國科學技術(shù)大學教授，博士生導師，國內(nèi)凝聚態(tài)物理、電子顯微學和薄膜生長領(lǐng)域的著名學者。曾任中國物理學會《物理》雜志主編、《電子顯微學報》副主編，是中國電子顯微鏡學會創(chuàng)始人之一，曾任中國電子顯微鏡學會常務理事、材料物理專業(yè)委員會主任。承擔了多項國家自然科學基金項目，在國內(nèi)外學術(shù)刊物上發(fā)表論文200余篇。獲中國科學院自然科學獎一等獎、安徽省高?？茖W技術(shù)進步獎、中國分析測試學會科學技術(shù)獎和國防科工委科技進步獎。編撰出版了《薄膜生長》《固體物理實驗方法》《微分析物理及其應用》《分形原理和應用》等專著，翻譯出版了《材料的透射電子顯微學與衍射學》《現(xiàn)代晶體學（共4卷）》。

圖書目錄

【圖書目錄】
001 譯者的話
003 序
007 前言

第1章平衡
1.1 相平衡
1.2 表面能和周期性鍵鏈
1.3 表面的原子結(jié)構(gòu)
1.4 考慮表面能的相平衡晶體的平衡外形

第2章成核和外延
2.1 均勻成核
2.2 非均勻成核
2.3 外延

第3章生長機制
3.1 晶體的垂直生長和逐層生長
3.2 不同相中的逐層生長
3.3 層源和面生長速率
3.4 層狀生長表面的形貌

第4章雜質(zhì)
4.1 雜質(zhì)對生長過程的影響
4.2 雜質(zhì)的俘獲:分類和熱力學
4.3 雜質(zhì)的俘獲:動力學

第5章質(zhì)量和熱輸運生長外形及其穩(wěn)定性
5.1 結(jié)晶中質(zhì)量和熱量的傳遞
5.2 生長外形
5.3 生長外形的穩(wěn)定性

第6章缺陷的產(chǎn)生
6.1 夾雜物
6.2 位錯內(nèi)應力晶粒間界

第7章團塊結(jié)晶學
7.1 凝固動力學和晶粒尺寸
7.2 幾何選擇和鑄錠的形成
7.3 熱和質(zhì)量的傳遞
7.4 成熟(聚結(jié))
7.5 非金屬工業(yè)結(jié)晶學原理

第8章氣相生長
8.1 概述
8.2 氣相結(jié)晶的物理化學基礎
8.3 物理氣相淀積
8.4 化學氣相淀積(CVD)
8.5 外界輔助的氣相生長
8.6 通過液相區(qū)的氣相結(jié)晶

第9章溶液生長
9.1 溶液生長晶體的物理化學基礎
9.2 低溫水溶液生長
9.3 水熱溶液中的生長和合成
9.4 高溫溶液生長(熔鹽生長)

第10章熔體生長
10.1 熔體單晶生長的物理化學基礎
10.2 熔體生長單晶的主要方法
10.3 熔體生長晶體的缺陷和晶體實際結(jié)構(gòu)的控制方法

參考文獻
參考書刊
譯后記