晶體生長原理與技術(shù)（第二版）

　　本書分4篇探討晶體生長的原理與技術(shù)。第一篇為晶體生長的基本原理，分5章對(duì)晶體生長的熱力學(xué)原理、動(dòng)力學(xué)原理、界面過程、生長形態(tài)及晶體生長初期的形核相關(guān)原理進(jìn)行論述。第二篇為晶體生長的技術(shù)基礎(chǔ)，分3章進(jìn)行晶體生長過程的涉及傳輸行為（傳質(zhì)、傳熱、對(duì)流）、化學(xué)基礎(chǔ)問題（材料的提純與合成問題）以及物理基礎(chǔ)（電、磁、力的作用原理）的綜合分析。第三篇為晶體生長技術(shù)，分4章分別對(duì)以Bridgman法為主的熔體法晶體生長、以Czochralski方法為主的熔體法晶體生長、溶液法晶體生長以及氣相晶體生長技術(shù)與**發(fā)展進(jìn)行介紹。第四篇分2章分別對(duì)晶體生長過程中缺陷的形成與控制和晶體的結(jié)構(gòu)與性能表征方法進(jìn)行論述。

暫缺《晶體生長原理與技術(shù)（第二版）》作者簡(jiǎn)介