數(shù)字電子技術基礎（第二版）

第1章 數(shù)字電路緒論
1．1 數(shù)字電路的特點
1．1．1 模擬信號和數(shù)字信號
1．1．2 數(shù)字電路的特點
1．2 數(shù)制及其相互轉換
1．2．1 數(shù)制
1．2．2 數(shù)制間的轉換
1．3 二進制算術運算
1．4 碼制
1．5 二值邏輯運算
1．5．1 三種基本邏輯運算
1．5．2 復合邏輯運算
1．5．3 邏輯函數(shù)和邏輯圖
習題
第2章 邏輯代數(shù)
2．1 邏輯代數(shù)的基本定律
2．1．1 邏輯代數(shù)定理
2．1．2 常用恒等式
2．2 邏輯運算的基本規(guī)則
2．2．1 代人規(guī)則
2．2．2 反演規(guī)則
2．2．3 對偶規(guī)則
2．3 邏輯函數(shù)的代數(shù)法化簡
2．3．1 最簡的標準
2．3．2 代數(shù)法化簡
2．4 邏輯函數(shù)的卡諾圖化簡
2．4．1 邏輯函數(shù)標準表達式
2．4．2 邏輯函數(shù)的卡諾圖
2．4．3 邏輯函數(shù)的卡諾圖化簡
2．5 具有無關項的邏輯函數(shù)化簡
2．5．1 無關項概念
2．5．2 應用無關項化簡邏輯函數(shù)
習題
第3章 邏輯門電路
3．1 二極管和晶體管的開關特性
3．1．1 二極管的開關特性
3．1．2 晶體管的開關特性
3．2 TTL門電路
3．2．1 TTL非門的工作原理
3．2．2 TTL非門的特性
3．2．3 TTL與非門／或非門／與或非門
3．2．4 TTL集電極開路門和三態(tài)門
3．2．5 TTL門電路的產(chǎn)品系列
3．3 CMOS門電路
3．3．1 CMOS管的開關特性
3．3．2 CMOS反相器的工作原理
3．3．3 CMOS反相器的特性
3．3．4 CMOS與非門／或非門
3．3．5 CMOS傳輸門／三態(tài)門／異或門
3．4 BiCMOS門電路
3．4．1 BiCMOS反相器
3．4．2 BiCMOS與非門
3．4．3 BiCMOS或非門
習題
第4章 組合邏輯電路的分析方法和設計方法
4．1 組合邏輯電路的結構和特點
4．2 組合邏輯電路的分析方法
4．3 組合邏輯電路的穩(wěn)態(tài)波形圖
4．4 組合邏輯電路的設計方法
4．5 組合邏輯電路的競爭冒險
4．5．1 競爭冒險
4．5．2 競爭冒險的判斷
4．5．3 競爭冒險的消除
習題
第5章 典型組合邏輯電路
5．1 編碼器
5．1．1 普通編碼器
5．1．2 優(yōu)先編碼器
5．2 譯碼器
5．2．1 二進制譯碼器
5．2．2 二一十進制譯碼器
5．2．3 顯示譯碼器
5．3 數(shù)據(jù)分配器與數(shù)據(jù)選擇器
5．3．1 數(shù)據(jù)分配器
5．3．2 數(shù)據(jù)選擇器
5．4 數(shù)值比較器
5．4．1 1位數(shù)值比較器
5．4．2 4位數(shù)值比較器
5．4．3 比較器的位數(shù)擴展
5．5 加法器
5．5．1 l位全加器
5．5．2 多位加法器
5．5．3 加法器的應用
5．6 加／減法器
習題
第6章 觸發(fā)器和定時器
6．1 基本RS觸發(fā)器
6．1．1 與非門基本RS觸發(fā)器
6．1．2 或非門基本RS觸發(fā)器
6．2 同步RS觸發(fā)器
6．3 邊沿觸發(fā)器
6．3．1 主從型RS觸發(fā)器
6．3．2 傳輸延時型JK觸發(fā)器
6．3．3 維持阻塞型D觸發(fā)器
6．4 觸發(fā)器邏輯功能的轉換
6．4．1 維持阻塞型D觸發(fā)器轉換為T和T'觸發(fā)器
6．4．2 觸發(fā)器的邏輯功能轉換方法
6．5 觸發(fā)器的動態(tài)特性
6．6 555定時器
6．6．1 555定時器的功能
6．6．2 555定時器組成施密特觸發(fā)器
6．6．3 555定時器組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
6．6．4 555定時器組成多諧振蕩器
習題
第7章 時序邏輯電路的分析方法和設計方法
7．1 時序邏輯電路的特點和分類
7．1．1 時序邏輯電路的結構和特點
7．1．2 時序邏輯電路的分類
7．2 時序電路的分析方法
7．3 時序電路的設計方法
習題
第8章 典型時序邏輯電路
8．1 計數(shù)器
8．1．1 計數(shù)器的概念和分類
8．1．2 二進制計數(shù)器
8．1．3 二一十進制計數(shù)器
8．1．4 用集成計數(shù)器設計N進制計數(shù)器
8．2 順序脈沖發(fā)生器
8．3 寄存器
8．3．1 并行輸入寄存器
8．3．2 移位寄存器
習題
第9章 半導體存儲器
9．1 半導體存儲器基礎
9．1．1 半導體存儲器的結構框圖
9．1．2 半導體存儲器的分類
9．2 隨機存取存儲器（RAM）
9．2．1 靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）
9．2．2 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）
9．3 只讀存儲器
9．3．1 掩模只讀存儲器
9．3．2 可編程只讀存儲器
9．4 閃存
9．4．1 閃存的存儲單元
9．4．2 閃存的特點和應用
9．5 存儲器容量的擴展
9．5．1 存儲器的位擴展
9．5．2 存儲器的字擴展
9．5．3 存儲器的字位擴展
習題
第10章 可編程邏輯器件和硬件描述語言
10．1 與或陣列型PLD
10．1．1 與或陣列型PLD的原理
10．1．2 通用陣列邏輯
10．1．3 復雜可編程邏輯器件
10．2 查找表型PLD
10．2．1 查找表型PLD的原理
10．2．2 分段互連FPGA
lO．2．3 快速互連FPGA
10．3 PLD的設計流程
10．4 硬件描述語言
10．4．1 VHDL的基本結構
10．4．2 VHDL的數(shù)據(jù)對象類型及運算操作符
10．4．3 VHDL語言的功能描述方式
lO．4．4 VHDL語言的主要描述語句
10．4．5 VHDL設計舉例
習題
第11章 數(shù)模與模數(shù)轉換器
11．1 數(shù)模和模數(shù)轉換的作用
11．2 數(shù)模轉換器
11．2．1 倒T形電阻網(wǎng)絡DAC
11．2．2 權電流型DAC
11．2．3 DAC的雙極性輸出
11．2．4 DAC的主要技術指標
11．3 模數(shù)轉換器
11．3．1 模數(shù)轉換基礎
11．3．2 并行比較ADC
11．3．3 逐次比較ADC
11．3．4 雙積分ADC
11．3．5 ADC的主要技術指標
習題
附錄A 美國標準信息交換碼（ASCII）
附錄B 常用邏輯符號對照表
附錄C 中國半導體集成電路型號命名法
附錄D TTL和CMOS門的主要技術參數(shù)表
參考文獻