低維過渡金屬硫屬化合物的電子性質及調控

目 錄
第1章 緒論\t1
1．1 Free Standing的二維材料\t1
1．1．1 石墨烯簡介\t1
1．1．2 氮化硼（BN）的研究\t2
1．1．3 二維硫屬化合物的分類及結構\t3
1．1．4 其他二維材料\t4
1．2 二維硫屬化合物材料的制備及應用\t5
1．2．1 二維硫屬化合物納米材料的制備\t5
1．2．2 二維硫屬化合物納米材料的應用\t8
1．3 二維過渡金屬硫屬化合物性質的實驗研究\t11
1．3．1 力學性質\t11
1．3．2 光學性質\t13
1．4 二維過渡金屬硫屬化合的第一性原理計算\t14
1．4．1 電子結構\t14
1．4．2 聲子結構\t15
1．4．3 磁性特征\t15
1．4．4 外加應力和電場的作用\t16
1．4．5 合金（Alloys）材料\t18
1．4．6 異質結構和復合材料\t18
1．4．7 界面特性\t19
1．5 尋找新的二維材料\t20
參考文獻\t21
第2章 理論方法和計算軟件\t27
2．1 密度泛函理論\t27
2．1．1 絕熱近似\t27
2．1．2 Hartree-Fock近似\t29
2．1．3 Thomas-Fermi-Dirac理論\t30
2．1．4 Hohenberg-Kohn定理\t31
2．1．5 自洽Kohn-Sham方程\t32
2．1．6 交換關聯(lián)泛函\t35
2．2 計算軟件簡介\t37
參考文獻\t37
第3章 應力對二維過渡金屬硫屬化合物納米膜電子結構的影響\t41
3．1 引言\t41
3．2 平面雙軸應力對多層MX2的影響\t42
3．2．1 計算方法和模型\t42
3．2．2 結果和討論\t44
3．3 垂直壓應力對多層MX2的影響\t48
3．3．1 計算方法和模型\t48
3．3．2 結果和討論\t49
3．4 本章小結\t52
參考文獻\t53
第4章 過渡金屬硫屬化合物異質結的電子性質及調控\t55
4．1 引言\t55
4．2 計算模型和方法\t56
4．2．1 計算模型\t56
4．2．2 計算方法\t56
4．3 平衡狀態(tài)下異質結的電子結構\t57
4．3．1 最優(yōu)幾何結構\t57
4．3．2 電子結構\t58
4．4 面內雙軸應力對異質結電子結構的調控\t59
4．5 法向壓應力對異質結電子結構的調控\t62
4．6 本章小結\t64
參考文獻\t64
第5章 過渡金屬硫屬化合物納米膜超晶格量子阱特性研究\t67
5．1 引言\t67
5．2 計算模型和方法\t69
5．2．1 計算模型\t69
5．2．2 計算方法\t69
5．3 超晶格的最優(yōu)結構及穩(wěn)定性\t72
5．3．1 超晶格的最優(yōu)結構\t72
5．3．2 超晶格的穩(wěn)定性\t73
5．4 量子阱的形成及其電子結構特征\t74
5．4．1 量子阱的形成\t74
5．4．2 MoS2/WSe2量子阱的能帶結構特征\t76
5．4．3 界面間的電荷轉移情況\t79
5．5 應力對量子阱的影響\t79
5．6 2MoS2/2WSe2量子阱特性\t81
5．7 本章小結\t83
參考文獻\t84
第6章 MoS2基面內超晶格的電子性質及調控\t87
6．1 引言\t87
6．2 計算模型和方法\t88
6．2．1 計算模型\t88
6．2．2 計算方法\t88
6．3 面內超晶格的結構穩(wěn)定性\t89
6．4 面內超晶格的電子性質\t90
6．5 面內雙軸應力對超晶格電子性質的調控\t91
6．6 本章小結\t95
參考文獻\t96
第7章 SiO2襯底對單層MoS2電子性質的影響\t99
7．1 引言\t99
7．2 計算模型和方法\t99
7．2．1 計算模型\t99
7．2．2 計算方法\t100
7．3 MoS2/SiO2結構的穩(wěn)定性\t100
7．4 MoS2/SiO2的電子結構\t102
7．5 本章小結\t105
參考文獻\t105
第8章 LiNbO3襯底對單層和雙層MoSe2電子性質的影響\t107
8．1 引言\t107
8．2 計算模型和方法\t107
8．2．1 計算模型\t107
8．2．2 計算方法\t108
8．3 MoSe2/LiNbO3和2MoSe2/LiNbO3結構的穩(wěn)定性\t109
8．4 MoSe2/LiNbO3和2MoSe2/LiNbO3的電子結構\t110
8．5 本章小結\t113
參考文獻\t113