前言
第1章 緒論
1.1 半導體材料的發(fā)展
1.2 SiC半導體的基本性質
1.3 SiC納米材料的研究
1.4 硅基復合體系
1.5 本書的研究內容
第2章 SiC/Si-NPA納米復合體系的制備
2.1 引言
2.2 Si-NPA的制備和表征
2.3 SiC納米晶/Si-NPA的制備和表征
2.4 SiC納米線/Si-NPA的制備和表征
2.5 小結
第3章 SiC/Si-NPA的場致發(fā)射性能研究
3.1 引言
3.2 nc-SiC/Si-NPA的I-V特性
3.3 nw-SiC/ Si-NPA的場發(fā)射性能
3.4 CNP/Si-NPA和CNF/Si-NPA的場發(fā)射性能
3.5 小結
第4章 SiC/Si-NPA的光致發(fā)光性能研究
4.1 引言
4.2 nw-SiC/Si-NPA的光致發(fā)光性能
4.3 nc-SiC/Si-NPA光致發(fā)光性能
4.4 小結
第5章 SiC/Si-NPA的氣體傳感性能研究
5.1 引言
5.2 SiC基氣體傳感器
5.3 SiC/Si-NPA氣體傳感器的制備
5.4 H2S氣體傳感器
5.5 濕度傳感器
5.6 小結
結論與展望
參考文獻
附錄