直拉單晶硅工藝技術(shù)（第二版）

緒論1
第1章單晶硅的基本知識3
1.1晶體和非晶體3
1.2單晶和多晶7
1.3空間點陣和晶胞8
1.4晶面和晶向11
1.5晶體的熔化和凝固15
1.6結(jié)晶過程的宏觀特征16
1.7晶核的形成17
1.8二維晶核的形成18
1.9晶體的長大19
1.10生長界面結(jié)構(gòu)模型21
習題23
第2章直拉單晶爐25
2.1直拉單晶爐設(shè)備簡介25
2.2直拉單晶爐的結(jié)構(gòu)26
2.3機械部分27
2.4電氣部分35
2.5直拉單晶爐的工作環(huán)境40
習題41
第3章直拉單晶爐的熱系統(tǒng)及熱場43
3.1熱系統(tǒng)43
3.2熱系統(tǒng)的安裝與對中46
3.3熱場47
3.4溫度梯度與單晶生長47
3.5熱場的調(diào)整51
習題52
第4章晶體生長控制器54
4.1CGC-101A型晶體生長控制器功能簡介54
4.2CGC-101A型晶體生長控制器的開關(guān)狀態(tài)說明55
4.3CGC-101A型晶體生長控制器的鍵盤操作說明56
4.4CGC-101A型晶體生長控制器參數(shù)設(shè)置及定義61
4.5CGC-101A型晶體生長控制器使用說明64
習題65
第5章原輔材料的準備67
5.1硅原料67
5.2石英坩堝72
5.3摻雜劑與母合金74
5.4其他材料75
5.5原輔材料的腐蝕和清洗76
5.6腐蝕原理及安全防護77
5.7自動硅料清洗機簡介78
習題80
第6章直拉單晶硅生長技術(shù)81
6.1直拉單晶硅工藝流程81
6.2拆爐及裝料82
6.3抽空及熔料86
6.4引晶及放肩88
6.5轉(zhuǎn)肩及等徑91
6.6收尾及停爐93
6.7拉速、溫校曲線的設(shè)定95
6.8堝升速度的計算方法97
6.9異常情況及處理方法99
習題101
第7章鑄錠多晶硅工藝102
7.1光伏產(chǎn)業(yè)簡介102
7.2鑄錠多晶硅爐的結(jié)構(gòu)103
7.3鑄錠多晶硅工藝流程105
7.4鑄錠多晶硅的優(yōu)缺點108
習題109
第8章?lián)诫s技術(shù)110
8.1雜質(zhì)110
8.2導(dǎo)電型號111
8.3熔硅中的雜質(zhì)效應(yīng)111
8.4雜質(zhì)的分凝效應(yīng)113
8.5Keff與K0的關(guān)系117
8.6結(jié)晶后固相中的雜質(zhì)分布規(guī)律118
8.7摻雜121
習題125
附錄1硅的物理化學性質(zhì)（300K）126
附錄2硅中雜質(zhì)濃度和電阻率關(guān)系127
附錄3元素周期表128
附錄4立方晶系各晶面（或晶向）間的夾角129
附錄5塵室的分級標準130
參考文獻131