理工基礎(chǔ)化學(xué)

前言  1熱化學(xué)  1.1熱力學(xué)基本概念和術(shù)語(yǔ)  1.1.1系統(tǒng)和環(huán)境  1.1.2相  1.1.3狀態(tài)函數(shù)  1.1.4熱力學(xué)平衡狀態(tài)  1.1.5過程與途徑  1.2熱力學(xué)第一定律  1.2.1熱  1.2.2功  1.2.3熱力學(xué)能  1.2.4熱力學(xué)第一定律的內(nèi)容  1.3恒容熱、恒壓熱與焓變  1.3.1恒容熱  1.3.2恒壓熱  1.3.3焓與焓變  1.3.4恒容熱與恒壓熱的關(guān)系  1.3.5蓋斯定律  1.4標(biāo)準(zhǔn)摩爾反應(yīng)焓變與標(biāo)準(zhǔn)摩爾生成焓  1.4.1標(biāo)準(zhǔn)摩爾反應(yīng)焓變  1.4.2標(biāo)準(zhǔn)摩爾生成焓  1.4.3利用標(biāo)準(zhǔn)摩爾生成焓計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)摩爾反應(yīng)焓變  思考題  習(xí)題  2反應(yīng)方向、反應(yīng)限度和反應(yīng)速率  2.1化學(xué)反應(yīng)的方向  2.1.1自發(fā)過程  2.1.2分散度和混亂度  2.1.3熵  2.1.4熵增原理  2.1.5標(biāo)準(zhǔn)摩爾熵  2.1.6標(biāo)準(zhǔn)摩爾反應(yīng)熵變  2.1.7吉布斯函數(shù)和吉布斯函數(shù)變判據(jù)  2.1.8吉布斯函數(shù)變和標(biāo)準(zhǔn)吉布斯函數(shù)變的關(guān)系  2.1.9反應(yīng)的吉布斯函數(shù)變的計(jì)算及應(yīng)用  2.2化學(xué)反應(yīng)的限度和化學(xué)平衡  2.2.1反應(yīng)限度的判據(jù)與化學(xué)平衡  2.2.2化學(xué)反應(yīng)平衡常數(shù)  2.2.3化學(xué)平衡的有關(guān)計(jì)算  2.2.4利用平衡常數(shù)和反應(yīng)商判斷反應(yīng)的自發(fā)性  2.2.5化學(xué)平衡的移動(dòng)  2.3化學(xué)反應(yīng)速率  2.3.1濃度的影響和反應(yīng)級(jí)數(shù)  2.3.2溫度的影響和阿倫尼烏斯公式  2.3.3反應(yīng)的活化能和催化劑  思考題  習(xí)題  3溶液  3.1稀溶液的依數(shù)性及其應(yīng)用  3.1.1液體的飽和蒸氣壓  3.1.2蒸氣壓下降  3.1.3沸點(diǎn)升高  3.1.4凝固點(diǎn)降低  3.1.5滲透壓  3.2弱電解質(zhì)溶液與離子平衡  3.2.1弱酸和弱堿在水溶液中的解離平衡  3.2.2配離子的解離平衡  思考題  習(xí)題  4電化學(xué)與金屬腐蝕  4.1原電池  4.1.1氧化還原反應(yīng)與原電池  4.1.2原電池?zé)崃W(xué)  4.2電極電勢(shì)  4.2.1電極電勢(shì)的形成和原電池的電動(dòng)勢(shì)  4.2.2標(biāo)準(zhǔn)電極電勢(shì)  4.3能斯特方程  4.4電動(dòng)勢(shì)與電極電勢(shì)在化學(xué)中的應(yīng)用  4.4.1物質(zhì)氧化還原性相對(duì)強(qiáng)弱的比較  4.4.2反應(yīng)方向的判斷與反應(yīng)進(jìn)行程度的衡量  4.5金屬腐蝕與防護(hù)  4.5.1金屬腐蝕的起源與分類  4.5.2金屬腐蝕的防護(hù)  4.6化學(xué)電源  4.6.1一次電池  4.6.2二次電池  4.6.3燃料電池  4.6.4廢棄化學(xué)電源與環(huán)境影響  4.7電化學(xué)工學(xué)  4.7.1電解及電解池中兩極的電解產(chǎn)物  4.7.2電解冶煉與精煉  4.8電解加工  4.8.1電解成型加工  4.8.2電解磨削  4.8.3電解刻蝕  4.8.4電鍍與電鑄  4.8.5電化學(xué)拋光  思考題  習(xí)題  5電子信息工業(yè)中的化學(xué)  5.1引言  5.1.1半導(dǎo)體種類及性質(zhì)  5.1.2集成電路  5.1.3半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì)  5.2半導(dǎo)體晶片的制備  5.2.1硅片的制造  5.2.2石英坩堝的制備技術(shù)  5.2.3硅單晶生長(zhǎng)  5.2.4晶片成形  5.2.5晶片的測(cè)試分析  5.2.6砷化鎵單晶體生長(zhǎng)技術(shù)  5.3晶片清洗  5.3.1概論  5.3.2濕式清洗技術(shù)與化學(xué)品  5.3.3干式清洗技術(shù)  5.3.4干燥技術(shù)  5.3.5各類污染物的來(lái)源  5.4氧化工藝  5.4.1二氧化硅膜的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)及其作用  5.4.2氧化方法  5.5化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝及化學(xué)品  5.5.1CVD基本原理簡(jiǎn)介  5.5.2各種化學(xué)氣相沉積法反應(yīng)簡(jiǎn)介  5.5.3CVD制備工藝  5.6金屬沉積  5.6.1物理氣相沉積金屬制作工藝  5.6.2化學(xué)氣相沉積金屬制作工藝  5.7光刻  5.7.1概述  5.7.2光刻膠及感光機(jī)理  5.7.3光刻膠的主要性能  5.7.4光刻工藝過程  5.7.5掩模版的制造  5.7.6光刻用其他化學(xué)品  5.7.7光刻曝光系統(tǒng)  5.8刻蝕技術(shù)及其化學(xué)品  5.8.1概述  5.8.2濕法刻蝕  5.8.3半導(dǎo)體工藝中常用材料的濕法刻蝕  5.8.4干法刻蝕  5.8.5半導(dǎo)體工藝中常用材料的干法刻蝕  5.9平坦化工藝及相關(guān)化學(xué)品  5.9.1旋涂膜層（SOG）技術(shù)  5.9.2旋轉(zhuǎn)涂布用低介電常數(shù)高分子材料  5.9.3化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)  5.10印刷電路板  5.10.1電路板的基本組成  5.10.2印刷電路板的制造  5.10.3光化學(xué)轉(zhuǎn)移法印制電路板的制作  5.11新型有機(jī)電子信息材料  5.11.1導(dǎo)電高分子材料  5.11.2有機(jī)納米及分子器件  5.11.3高介電常數(shù)材料  5.11.4有機(jī)發(fā)光二極管材料的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)  5.11.5生物芯片的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)  5.12電子信息工業(yè)廢液的回收  5.12.1手機(jī)中貴金屬的回收  5.12.2酸性蝕刻廢液中貴金屬的回收  思考題  6理工基礎(chǔ)化學(xué)實(shí)驗(yàn)  6.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、學(xué)習(xí)方法及實(shí)驗(yàn)守則  6.2實(shí)驗(yàn)內(nèi)容  6.2.1實(shí)驗(yàn)一：化學(xué)反應(yīng)摩爾焓變的測(cè)定  6.2.2買驗(yàn)二：化學(xué)反應(yīng)速率的測(cè)定  6.2.3買驗(yàn)三：醋酸解離度與解離常數(shù)的測(cè)定  6.2.4實(shí)驗(yàn)四：鋼鐵件表面光亮鍍鋅  6.2.5實(shí)驗(yàn)五：鋁合金表面處理——陽(yáng)極氧化  6.2.6實(shí)驗(yàn)六：印刷線路板的化學(xué)加工  主要參考文獻(xiàn)