真空鍍膜技術(shù)與設(shè)備

1 真空蒸發(fā)鍍膜
1.1 概述
1.2 真空蒸發(fā)鍍膜基礎(chǔ)理論
1.2.1 真空蒸發(fā)鍍膜的物理過程
1.2.2 蒸發(fā)鍍膜的真空條件
1.2.3 真空鍍膜的蒸發(fā)條件
1.2.4 膜材的蒸發(fā)速率
1.2.5 殘余氣體對膜層的影響
1.2.6 蒸鍍粒子在基片上的沉積
1.3 蒸發(fā)源
1.3.1 電阻加熱式蒸發(fā)源
1.3.2 電子束加熱蒸發(fā)源
1.3.3 感應(yīng)加熱式蒸發(fā)源
1.3.4 空心熱陰極電子束蒸發(fā)源
1.3.5 激光加熱蒸發(fā)源
1.3.6 電弧加熱蒸發(fā)源
本章小結(jié)
思考題

2 真空濺射鍍膜
2.1 濺射鍍膜原理
2.2 濺射與沉積成膜
2.2.1 放電濺射模式
2.2.2 濺射原子的能量與角分布
2.2.3 濺射產(chǎn)額與濺射速率
2.2.4 薄膜沉積
2.2.5 沉積速率
2.3 濺射鍍膜方法
2.4 直流二級濺射
2.5 磁控濺射
2.5.1 磁控濺射工作原理
2.5.2 磁場在磁控濺射中的作用
2.5.3 磁控濺射鍍膜的特點
2.5.4 平面磁控濺射靶
2.5.5 圓柱形磁控濺射靶
2.5.6 傳統(tǒng)平面磁控濺射靶存在的問題
2.6 射頻（RF）濺射
2.7 非平衡磁控濺射
2.7.1 非平衡磁控濺射原理
2.7.2 非平衡磁控濺射與平衡磁控濺射比較
2.8 反應(yīng)磁控濺射
2.8.1 反應(yīng)濺射的機理
2.8.2 反應(yīng)濺射的特性
2.9 中頻交流反應(yīng)磁控濺射
2.9.1 中頻交流磁控濺射原理
2.9.2 中頻雙靶反應(yīng)濺射的特點
2.10 非對稱脈沖濺射
2.11 離子束濺射
本章小結(jié)
思考題

3 真空離子鍍膜
3.1 離子鍍的類型
3.2 真空離子鍍原理及成膜條件
3.2.1 離子鍍原理
3.2.2 離子鍍的成膜條件
3.3 等離子體在離子鍍膜過程中的作用
3.3.1 離子鍍過程中的離子轟擊效應(yīng)
3.3.2 離子轟擊對膜／基界面的影響
3.4 離子鍍中基片負(fù)偏壓的影響
3.5 離子鍍的離化率
3.6 離子鍍膜工藝及其參數(shù)選擇
3.6.1 鍍膜室的氣體壓力
3.6.2 反應(yīng)氣體的分壓
3.6.3 蒸發(fā)源功率
3.6.4 蒸發(fā)速率
3.6.5 蒸發(fā)源和基片間的距離
3.6.6 基片的負(fù)偏壓
3.6.7 基體溫度
3.7 離子鍍的特點及應(yīng)用
3.7.1 離子鍍的特點
3.7.2 離子鍍技術(shù)的應(yīng)用
3.8 直流二極型離子鍍裝置
3.9 射頻放電離子鍍裝置
……

4 真空等離子增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)
5 離子注入與離子輔助沉積技術(shù)
6 真空鍍膜機結(jié)構(gòu)設(shè)計
7 鍍膜源的設(shè)計計算
8 薄膜厚度的測量與監(jiān)控
9 表面與薄膜分析檢測技術(shù)
參考文獻(xiàn)