分子器件非彈性電子隧穿譜的理論

　　目前單分子器件和分子膜的輸運(yùn)性質(zhì)已成為納電子學(xué)的研究熱點(diǎn)，但在該研究領(lǐng)域始終存在如下兩個(gè)問(wèn)題：一是隧穿電子是否確實(shí)通過(guò)有機(jī)分子這座“橋梁”從電極一端散射到另一端，二是有機(jī)分子在電子隧穿過(guò)程中處于怎樣的狀態(tài)。對(duì)這兩個(gè)問(wèn)題的深入研究促使了分子器件非彈性電子隧穿譜（InelasticElectronTunnelingSpectroscopy）的產(chǎn)生和迅速發(fā)展，進(jìn)行相關(guān)理論和實(shí)驗(yàn)研究也成為納電子學(xué)發(fā)展的重要方向。 本書的主要工作是從理論上計(jì)算分子器件非彈性電子隧穿譜。主要在量子化學(xué)計(jì)算的基礎(chǔ)上，充分考慮了非彈射散射過(guò)程，發(fā)展了一整套基于第一性原理的計(jì)算分子器件非彈性電子隧穿譜的理論方法。對(duì)由金屬一分子一金屬構(gòu)成的擴(kuò)展分子體系進(jìn)行計(jì)算，分析了外加電場(chǎng)對(duì)分子器件幾何結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)的影響，考慮了有外加電場(chǎng)情況下分子器件的電輸運(yùn)特性以及分子體系內(nèi)電子重新分布和空間電勢(shì)變化情況。討論電極距離、分子與金屬間不同的接觸構(gòu)型以及分子的氟化程度等諸多因素對(duì)分子器件非彈性電子隧穿譜的影響，并與他人的理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了比較。

　　鄒斌 1980年10月生，山東威海人。2008年7月于山東師范大學(xué)獲得理學(xué)博士學(xué)位，現(xiàn)任中央民族大學(xué)理學(xué)院教師。主要研究方向：分子器件電學(xué)性質(zhì)理論研究、納米材料制備和光電性能研究等方面。