晶體結(jié)構(gòu)與缺陷

定　價：￥28.00

作　者：	魏光普等編著
出版社：	水利水電出版社
叢編項：
標　簽：	晶體學

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ISBN：	9787508476308	出版時間：	2010-05-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	202	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　《晶體結(jié)構(gòu)與缺陷》主要根據(jù)作者多年使用的教材改編而成。共分12章，其中主要講述了晶體的空間格子構(gòu)造、對稱特性及晶類、晶系的劃分方法、晶體的一些典型結(jié)構(gòu)、與晶向晶面相關的知識、晶體的投影方法、標準投影、倒點陣的定義及應用；介紹了單質(zhì)元素和離子晶體的一些典型結(jié)構(gòu)和規(guī)律性因素、晶體缺陷以及它們的形成原因和觀測方法、晶體取向測定的方法及應用、人工晶體的一些生長方法等；《晶體結(jié)構(gòu)與缺陷》可以作為材料科學與工程、物理學、化學等教育部一級學科的相關專業(yè)的教材，也可供從事半導體、金屬、陶瓷、晶體材料與器件等方面工作的科技工作者參考。

作者簡介

　　魏光普，男，漢族，1939年生于浙江諸暨。上海大學材料科學與工程學院教授，上海市物理學會副理事長，上海新能源行業(yè)協(xié)會學術專家委員會主任，上海市太陽能學會光電專業(yè)委員會主任，“國際光伏科學與工程會議”國際委員會委員，“國際薄膜物理與應用會議”組織委員會委員，上海市歐美同學會理事、歐美同學會上海大學分會副會長。國務院政府特殊津貼獲得者。1956年從浙江金華第二中學考入南京大學，1961年從南京大學物理系畢業(yè)后，在上?？茖W技術大學（現(xiàn)上海大學）材料系從事X射線晶體學及材料科學方面的教學與科研工作。1984年至1986年，受國家教委（現(xiàn)教育部）派遣，赴日、本大阪大學進行訪問研究，從事高效率非晶硅太陽電池及光敏器件的研究工作，發(fā)明了非晶硅X射線探測器，獲日本專利二項，以后獲工學博士學位。1992年晉升為教授，1995年任日本神戶大學客員教授。近十余年來，在國內(nèi)外重要刊物上發(fā)表論文70余篇，獲得專利十余項，并獲得委、市、部級獎勵四項：①“非晶硅器件的X射線照射效應及其應用”獲得1992年國家教委科技進步獎；②“氧化鋯增韌陶瓷（連續(xù)鑄造）分離環(huán)”獲得1992年上海市科技進步獎；③“無機非金屬材料測試方法”獲得1997年的國家建材部科技進步獎[著作（合作）獎]；④“太陽電池光電參數(shù)測試儀”獲得1999年上海市科技進步獎。姜傳海，男，1963年9月生，漢族，上海交通大學材料科學與工程學院，研究員，博士生導師。1983年7月畢業(yè)于蘭州大學物理系，2000年1月獲哈爾濱工業(yè)大學材料科學與工程博士學位，2001年12月于上海交通大學材料科學與工程博士后出站，并留校工作至今，2007年法國國立高等工程技術學院（ENSAM）微結(jié)構(gòu)實驗室高級訪問學者。多年從事晶體X射線衍射、殘余應力分析與組織結(jié)構(gòu)表征等領域的教學與科研工作。

圖書目錄

前言
第1章　晶體的內(nèi)部構(gòu)造
　1.1　晶體和非晶體
　1.2　晶體的格子構(gòu)造
第2章　晶體的對稱性及晶體的分類
　2.1　晶體的對稱性
　2.2　對稱型、晶類與晶系
　2.3　晶胞的選取與14種空間格子
第3章　幾種典型的晶體結(jié)構(gòu)
　3.1　單質(zhì)(元素)的典型結(jié)構(gòu)
　3.2　化合物的典型結(jié)構(gòu)
　3.3　晶體的鍵合
第4章　晶向、晶面及一些有關問題
　4.1　晶向指數(shù)與晶面指數(shù)
　4.2　密排面與密排方向
　4.3　晶面間距
　4.4　晶體的解理與解理面
　4.5　晶面及晶向之間的夾角
　4.6　雙晶與雙晶面
第5章　晶體的投影
　5.1　球面投影
　5.2　極射赤面投影
　5.3　吳氏網(wǎng)及其應用
　5.4　晶體的標準投影
第6章　倒點陣
　6.1　倒點陣(倒格子)
　6.2　晶面間距和晶面夾角的計算
　6.3　晶帶
第7章　元素的結(jié)構(gòu)
　7.1　球的密堆積和金屬單質(zhì)的結(jié)構(gòu)
　7.2　合金的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
　7.3　非金屬元素單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)
　7.4　單質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)的過渡
　7.5　硅、鍺半導體單晶
第8章　離子晶體結(jié)構(gòu)通論
　8.1　離子半徑
　8.2　配位數(shù)與配位多面體
　8.3　離子晶體的結(jié)構(gòu)規(guī)則
　8.4　同質(zhì)多像(同素異構(gòu)體)
　8.5　離子極化
　8.6　二元化合物晶體的結(jié)構(gòu)
　8.7　多元化合物晶體的結(jié)構(gòu)
　8.8　硅酸鹽及其它礦物
第9章　晶體缺陷
　9.1　點缺陷
　9.2　線缺陷
　9.3　面缺陷
　9.4　位錯的運動
　9.5　晶體缺陷的觀察方法
　9.6　腐蝕法測量位錯密度
第10章　晶體取向的測定
　10.1　X射線衍射定向法
　10.2　晶體的激光定向
　10.3　腐蝕坑法測定晶體取向
第11章　晶體生長方法概論
　11.1　晶體生長的理論基礎
　11.2　雜質(zhì)的添加與分凝
　11.3　晶體生長方法
第12章　晶體材料的分析測試
　12.1　成分分析
　12.2　物相分析
　12.3　形貌分析(斷口分析)
　12.4　晶體結(jié)構(gòu)分析
　12.5　晶粒度測定
　12.6　應力應變測定
　12.7　結(jié)晶度測定
　12.8　缺陷分析
　12.9　痕量分析
　12.10　均勻性測試
附錄A　點群和空間群的符號系統(tǒng)
附錄B　230個空間群表
附錄C　元素的物理性質(zhì)
附錄D　若干常見化合物的晶體結(jié)構(gòu)
練習思考題
參考文獻