集成電路制造工藝

第1章　概述
1.1　集成電路的發(fā)展歷程
1.1.1　集成電路的由來(lái)
1.1.2　摩爾定律之路
1.2　集成電路的分類(lèi)
1.2.1　按器件導(dǎo)電類(lèi)型分類(lèi)
1.2.2　按器件功能分類(lèi)
1.3　集成電路工藝基礎(chǔ)
1.3.1　集成電路的材料
1.3.2　集成電路工藝基礎(chǔ)
1.4　集成電路的生產(chǎn)環(huán)境
習(xí)題
第2章　半導(dǎo)體材料
2.1 晶體結(jié)構(gòu)
2.2　晶向與晶面
2.3 晶體中的缺陷和雜質(zhì)
2.3.1 晶體中的缺陷
2.3.2　晶體中的雜質(zhì)
2.4　單晶硅的制備
2.4.1 多晶硅的制備
2.4.2　生長(zhǎng)單晶硅
2.4.3　單晶硅性能測(cè)試
2.5 晶圓加工
2.5.1　外形整理
2.5.2　切片
2.5.3　倒角
2.5.4　研磨
2.5.5　拋光
2.5.6　Wafer清洗
習(xí)題
第3章　硅平面工藝流程
3.1　雙極型集成電路工藝流程
3.1.1 襯底制備
3.1.2　生長(zhǎng)埋層
3.1.3　外延生長(zhǎng)
3.1.4　生長(zhǎng)隔離區(qū)
3.1.5　生長(zhǎng)基區(qū)
3.1.6　發(fā)射區(qū)及集電極接觸區(qū)生長(zhǎng)
3.1.7　形成金屬互連
3.2　MOS工藝
3.3　CMOS工藝
3.3.1　CMOS集成電路
3.3.2　CMOS工藝流程
3.4　Bi-CMOS工藝
3.4.1 以CMOS工藝為基礎(chǔ)的Bi-CMOS工藝
3.4.2 以雙極工藝為基礎(chǔ)的Bi-CMOS工藝
習(xí)題
第4章　薄膜的制備
4.1　氧化
4.1.1　Si02的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)
4.1.2　Si02的用途
4.1.3　熱氧化法生長(zhǎng)二氧化硅膜
4.1.4　熱分解淀積氧化膜
4.1.5　熱處理
4.1.6　二氧化硅膜質(zhì)量檢測(cè)
4.2　化學(xué)氣相淀積
4.3　外延生長(zhǎng)
4.3.1　外延生長(zhǎng)
4.3.2　外延層檢測(cè)
4.4　物理氣相淀積
4.4.1　蒸發(fā)
4.4.2　濺射
習(xí)題
第5章　光刻技術(shù)
5.1　光刻材料及設(shè)備
5.1.1　光刻膠
5.1.2　光刻掩膜版
5.1.3　曝光方式
5.2　光刻工藝
5.2.1　底膜處理
5.2.2　涂膠
5.2.3　前烘
5.2.4　曝光
5.2.5　顯影
5.2.6　堅(jiān)膜
　　……
第6章　摻雜技術(shù)
第7章　金屬化與平坦化
第8章　芯片封裝與裝配技術(shù)
附錄A　術(shù)語(yǔ)表
參考文獻(xiàn)