集成電路工藝中的化學品

第一章 序言
1.1 集成電路及其產業(yè)的發(fā)展
1.2 集成電路制造的核心步驟及關鍵工藝技術
1.3 集成電路工藝需要電子化學品
第二章 薄膜制備技術及化學品
2.1 熱氧化生長技術
2.1.1 熱氧化生長技術概述
2.1.2 熱氧化方式及化學反應
2.1.3 雜質對熱氧化速率的影響
2.1.4 化學方法改進柵氧化層
2.1.5 選擇性氧化
2.2 熱擴散摻雜技術
2.2.1 熱擴散摻雜技術概述
2.2.2 熱擴散的種類及主要反應
2.2.3 熱擴散工藝技術的發(fā)展
2.3 離子注入摻雜技術
2.3.1 離子注入概述
2.3.2 注入損傷和熱退火
2.4 物理氣相淀積技術
2.4.1 真空蒸發(fā)法
2.4.2 濺射法
2.5 化學氣相淀積技術
2.5.1 化學氣相淀積的基本過程及主要反應
2.5.2 化學氣相淀積系統(tǒng)及分類
2.6 外延技術
2.6.1 氣相外延的基本過程及設備
2.6.2 硅源氣相外延的源和主要反應
2.6.3 外延層中的雜質分布
2.6.4 低壓外延
2.6.5 選擇外延
2.6.6 硅烷熱分解法外延
2.6.7 分子束外延
2.7 多晶硅薄膜淀積
2.8 二氧化硅薄膜淀積
2.8.1 低溫CVD二氧化硅
2.8.2 中溫CVD二氧化硅
2.8.3 CVD摻雜二氧化硅
2.9 氮化硅薄膜淀積
2.10 金屬鎢的薄膜淀積
2.11 金屬鋁的薄膜淀積
2.12 勢壘層的薄膜淀積
2.12.1 介質勢壘層和導電勢壘層
2.12.2 TiN的薄膜淀積
2.13 金屬硅化物的薄膜淀積
2.14 金屬銅的薄膜淀積
2.14.1 以銅為互連材料的工藝概述
2.14.2 金屬銅的薄膜淀積
2.15 低介電常數(shù)介質材料和薄膜淀積技術
2.15.1 低介電常數(shù)介質材料
2.15.2 低介電常數(shù)介質材料的薄膜淀積
2.15.3 商業(yè)用的低介電常數(shù)介質材料
附錄 化學品及氣體理化性質
第三章 晶片清洗技術及化學品
3.1 集成電路制造過程中的清洗工藝
3.2 濕法清洗技術及主要反應
3.2. 1SC1過程
3.2.2 SC2過程
3.2.3 Piranha清洗過程
3.2.4 DHF(HF稀溶液)的二氧化硅蝕刻
3.2.5 BHF(HF緩沖溶液)的二氧化硅蝕刻
3.2.6 臭氧水清洗過程
3.2.7 氫氟酸/硝酸清洗過程
附錄 化學品及氣體理化性質
第四章 光刻技術及化學品
4.1 光刻技術概述
4.2 光刻的工藝流程
4.2.1 涂膠
4.2.2 前烘
4.2.3 曝光
4.2.4 顯影
4.2.5 堅膜
4.2.6 刻蝕
4.2.7 去膠
4.3 光刻膠的基本屬性
4.4 光刻膠的曝光光源
4.4.1 紫外(UV)曝光光源
4.4.2 深紫外（DUV）曝光光源
4.4.3 X射線曝光光源
4.4.4 電子束曝光
4.4.5 光刻膠的分類
4.5 紫外(UV)光刻膠??DQN系列
4.5.1 DQN系列光刻膠的基本組成
4.5.2 DQN系列光刻膠的光化學機理
4.6 深紫外(DUV)光刻膠??化學增強(CA)系列
4.7 電子束光刻膠
4.8 X射線光刻膠
4.9 工業(yè)用的光刻膠材料
4.10 抗反射涂層材料
4.11 光刻膠邊緣廢料去除劑
4.12 顯影劑
4.13 光刻膠去膠劑
4.14 光刻過程中使用的其他材料
4.14.1 對比增強層材料
4.14.2 粘附助劑
4.14.3 聚酰亞胺材料
4.14.4 柵涂層材料
附錄 化學品及氣體理化性質
第五章 刻蝕技術及化學品
5.1 濕法刻蝕技術
5.1.1 濕法刻蝕技術概述
5.1.2 Si的濕法刻蝕
5.1.3 SiO2的濕法刻蝕
5.1.4 Si3N4的濕法刻蝕
5.1.5 Cu的濕法刻蝕
5.1.6 Al的濕法刻蝕
5.1.7 Mo的濕法刻蝕
5.1.8 Cr的濕法刻蝕
5.1.9 W的濕法刻蝕
5.2 干法刻蝕技術
5.2.1 干法刻蝕技術概述
5.2.2 二氧化硅和硅的干法刻蝕
5.2.3 氮化硅的干法刻蝕
5.2.4 多晶硅與金屬多晶硅化物的干法刻蝕
5.2.5 金屬鋁及鋁合金的干法刻蝕
5.2.6 金屬銅的干法刻蝕
5.2.7 金屬鎢的干法刻蝕
5.2.8 其他材料的干法刻蝕
附錄 化學品及氣體理化性質
第六章 化學機械拋光技術及化學品
6.1 平坦化
6.2 化學機械拋光技術概述
6.2.1 CMP設備及工藝
6.2.2 CMP工藝的主要參數(shù)
6.3 二氧化硅的CMP技術及磨蝕劑
6.4 金屬鎢的CMP技術及磨蝕劑
6.5 金屬銅的CMP技術及磨蝕劑
6.6 磨蝕劑的技術參數(shù)
6.7 集成電路工藝中使用的磨蝕劑
附錄化學品及氣體理化性質
第七章 載氣及其他化學品
附錄 化學品及氣體理化性質
參考文獻
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