低壓斷路器的開關電弧與限流技術

前言 第1章 緒論1．1對低壓斷路器開斷性能的要求1．2塑殼限流斷路器的開斷過程1．3塑殼限流斷路器的結構方案1．4本書實驗研究所用測試設備 1．4．1單頻振蕩回路和各種傳感器 1．4．2二維光纖陣列電弧運動測試系統(tǒng)1．5開關電弧基礎 1．5．1空氣介質(zhì)中的開關電弧 1．5．2交流電弧的開斷1．6低壓電器開斷技術發(fā)展簡介參考文獻 第2章 塑殼斷路器觸頭斥開與電弧停滯過程2．1決定觸頭斥開時間的因素2．2電弧停滯現(xiàn)象 2．2．1電弧停滯時間的定義 2．2．2電弧停滯時間對低壓電器性能的影響 2．3電弧停滯現(xiàn)象的機理 2．3．1金屬相電弧向氣相電弧的轉變 2．3．2電弧在磁場作用下的速度場 2．3．3限流斷路器在電弧停滯過程中的氣體動力學2．4影響電弧停滯時間的各種因素2．5 電弧從觸頭到弧角的轉移參考文獻 第3章 磁吹和氣吹對電弧的冷卻和驅(qū)動作用3．1斷路器觸頭系統(tǒng)的自勵磁場3．2電弧在跑弧道中運動的速度 3．2．1靜止介質(zhì)中電弧運動速度的計算 3．2．2不同條件下的電弧運動速度3．3基于滅弧室內(nèi)氣體高溫形成的氣吹 3．3．1滅弧室內(nèi)的壓力 3．3．2存儲氣體壓力產(chǎn)生氣吹的滅弧室結構 3．4基于電弧對產(chǎn)氣材料的侵蝕造成的氣吹 3．4．1絕緣材料產(chǎn)氣與滅弧室壓力 3．4．2利用絕緣材料產(chǎn)生氣吹的滅弧室結構 3．5不同滅弧室結構條件下氣吹滅弧的實驗研究 3．5．1實驗模型 3．5．2上下出氣口不同配置時的開斷性能 3．5．3不同器壁產(chǎn)氣材料時的開斷特性3．6電弧等離子體溫度的光譜診斷 3．6．1電弧等離子體的光譜診斷方法 3．6．2實驗裝置、測試系統(tǒng)與試驗線路 3．6．3實驗結果與分析參考文獻 第4章 電弧進入滅弧柵片后的背后擊穿現(xiàn)象4．1 電弧的背后擊穿現(xiàn)象的電路模型4．2觀察電弧的背后擊穿現(xiàn)象4．3背后通道熱擊穿條件分析4．4具有收縮型跑弧通道的滅弧室4．5一種帶產(chǎn)氣材料夾層的柵片滅弧室4．6消除和減弱背后擊穿現(xiàn)象的其他方法和措施4．7用磁流體動力學電弧動態(tài)數(shù)學模型仿真電弧背后 擊穿現(xiàn)象 4．7．1磁流體動力學電弧數(shù)學模型 4．7．2背后擊穿現(xiàn)象的仿真 參考文獻 第5章 動觸頭斥開過程與機構動作的配合5．1概述5．2氣動斥力5．3分析兩種過程的配合 5．3．1斥開過程中動觸頭受力分析 5．3．2兩個過程配合與動觸頭跌落現(xiàn)象5．4操作機構起動時間t1和動作時間t2的測量5．5 動觸頭跌落現(xiàn)象與短路電流合閘相角的關系5．6防止動觸頭斥開后跌落現(xiàn)象的措施參考文獻 第6章 電弧電壓的提高與滅弧系統(tǒng)研發(fā)新技術6．1 電弧電壓的組成部分6．2電弧電壓兩個分量的作用 6．2．1 電弧電壓的經(jīng)驗公式 6．2．2兩種壓降作用的實驗驗證6．3提高電弧電壓時兩個分量的相互聯(lián)系 6．3．1 雙向斥開觸頭的電弧電壓 6．3．2雙斷點開斷的電弧電壓6．4屏幕開斷與窄縫滅弧的電弧電壓 6．4．1屏幕開斷與窄縫滅弧的滅弧室結構原理 6．4．2窄縫滅弧室的電弧電壓 6．4．3兩種滅弧室的對比試驗6．5 基于現(xiàn)代測試手段的低壓滅弧系統(tǒng)研發(fā)新技術 6．5．1低壓滅弧系統(tǒng)研發(fā)新技術 6．5．2塑殼斷路器滅弧室的優(yōu)化設計 6．5．3用引弧板改進滅弧室的開斷性能參考文獻 第7章 電弧電流過零后的介質(zhì)恢復7．1 概述7．2兩種重擊穿現(xiàn)象的計算與分析 7．2．1介質(zhì)擊穿過程的計算與分析 7．2．2擊穿電壓的熱重燃模型7．3介質(zhì)恢復強度的測量方法 7．3．1單電源一次擊穿法 7．3．2雙電源多次擊穿法7．4不同開斷電流和柵片厚度的介質(zhì)恢復與重燃過程7．5 產(chǎn)氣材料與滅弧室出氣口尺寸對介質(zhì)恢復過程的影響參考文獻 第8章新的限流技術8．1 概述8．2 PTC限流元件 8．2．1導電聚合物PTC材料 8．2．2導電聚合物PTC元件與斷路器的組合8．3基于粉末顆粒的限流開斷技術8．4液體金屬限流器參考文獻 附錄 幾種新型低壓斷路器的技術數(shù)據(jù)