COMS電路設(shè)計(jì)布局與仿真

定　價(jià)：￥79.00

作　者：	（美）貝克（Baker R.J.）等著；陳中建譯
出版社：	機(jī)械工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：	電子與電氣工程叢書
標(biāo)　簽：	集成電路

購(gòu)買這本書可以去

ISBN：	9787111165040	出版時(shí)間：	2006-01-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁(yè)數(shù)：	695	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書借助PC版的電路設(shè)計(jì)軟件LASI，全面闡述了CMOS集成電路設(shè)計(jì)的相關(guān)知識(shí)，內(nèi)容覆蓋集成電路設(shè)計(jì)、仿真和物理實(shí)現(xiàn)的全過程。書中以現(xiàn)代觀點(diǎn)對(duì)大量模擬和數(shù)字電路模塊、BSIM模型、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的體系結(jié)構(gòu)等內(nèi)容進(jìn)行了深入討論。本書可以與學(xué)術(shù)界和工業(yè)界常用的標(biāo)準(zhǔn)EDA軟件（如Cadence、L-Edit、Magic、Mentor等）配套使用，可以作為集成電路設(shè)計(jì)師、版圖設(shè)計(jì)師、集成電路項(xiàng)目管理人員以及相關(guān)專業(yè)的教授和科研工作者的高層次教科書或參考書。主要內(nèi)容●鎖相環(huán)和延遲鎖相環(huán)、混合信號(hào)電路以及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)●1000多張圖表、200多個(gè)實(shí)例和500多道章末習(xí)題●對(duì)模擬和數(shù)字電路設(shè)計(jì)技術(shù)的深入討論●使用了工業(yè)界芯片加工廠提供的工藝參數(shù)和設(shè)計(jì)規(guī)則●MOSIS制造流程及其他重要專題

作者簡(jiǎn)介

　　R.JacobBaker，博伊西州立大學(xué)電子工程系教授、系主任。他講授多門CMOS模擬和數(shù)字電路設(shè)計(jì)課程，并是該領(lǐng)域的國(guó)際顧問。Baker博士曾供職于E.G.G.能量測(cè)量公司、LawrenceLivermore國(guó)家實(shí)驗(yàn)室和MicronSemiconductor公司，有8年的業(yè)界工作經(jīng)驗(yàn)。他把業(yè)界的經(jīng)驗(yàn)帶進(jìn)了課堂，并于2000年獲IEEE最佳論文獎(jiǎng)。他的個(gè)人主頁(yè)是：http：//cmosedu.com/jbaker/jbaker.htm。陳中建，北京大學(xué)微電子學(xué)系副教授，講授低功耗CMOS集成電路設(shè)計(jì)、模擬集成電路分析與設(shè)計(jì)等課程，近幾年主要從事與探測(cè)器配套的數(shù)?；旌螦SIC設(shè)計(jì)研究。

圖書目錄

譯者序
前言
第一部分 CMOS基礎(chǔ)
  第1章概述
  第2章阱
  第3章金屬層
  第4章有源區(qū)層和多晶硅層
  第5章 MOSFET
  第6章 BSIM SPICE模型
  第7章 CMOS無(wú)源元件
  第8章用LasiCkt做設(shè)計(jì)驗(yàn)證
  第9章 MOSFET的模擬模型
  第10章 MOSFET的數(shù)字模型
第二部分 CMOS數(shù)字電路
  第11章反相器
  第12章靜態(tài)邏輯門
  第13章傳輸門和觸發(fā)器
  第14章動(dòng)態(tài)邏輯電路
  第15章 VLSI版圖設(shè)計(jì)
  第16章 BiCMOS邏輯門
  第17章存儲(chǔ)電路
  第18章專用數(shù)字電路
  第19章數(shù)字鎖相環(huán)
第三部分 CMOS模擬電路
  第20章電流源和電流沉
  第21章基準(zhǔn)源
  第22章放大器
  第23章反饋放大器
  第24章差分放大器
  第25章運(yùn)算放大器
第四部分混合信號(hào)電路
  第26章非線性模擬電路
  第27章動(dòng)態(tài)模擬電路
  第28章數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器基礎(chǔ)
  第29章數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)
附錄
  附錄A Orbit CN20工藝
  附錄B MOSIS按比例設(shè)計(jì)規(guī)劃
  附錄C HP CMOS14TB工藝
索引