微電子器件與IC設(shè)計

第1章半導體物理基礎(chǔ)
1.1半導體的形成與能帶
1.2本征半導體
1.3雜質(zhì)半導體
1.4半導體的導電性
1.5非平衡載流子
思考題1
習題1
第2章PN結(jié)
2.1平衡PN結(jié)能帶圖及空間電荷區(qū)
2.2理想PN結(jié)的伏安特性
2.3實際PN結(jié)的特性
2.4PN結(jié)的擊穿
2.5PN結(jié)的電容
思考題2
習題2
第3章雙極晶體管(1)
3.1雙極晶體管的結(jié)構(gòu)
3.2雙極晶體管的放大原理
3.3雙極晶體管電流增益
3.4反向直流參數(shù)及基極電阻
3.5雙極晶體管直流伏安特性
思考題3
習題3
第4章雙極晶體管(2)
4.1交流小信號電流增益
4.2雙極晶體管頻率特性參數(shù)
4.3雙極晶體管的開關(guān)原理
4.4雙極晶體管的開關(guān)時間
4.5雙極晶體管大電流特性
4.6晶體管耗散功率及安全工作區(qū)
思考題4
習題4
第5章結(jié)型場效應晶體管
5.1JFET結(jié)構(gòu)與工作原理
5.2MESFET
5.3JFET直流特性
5.4直流特性的非理想效應
5.5JFET交流小信號特性
思考題5
習題5
第6章MOSFET
6.1MOS結(jié)構(gòu)及其特性
6.2MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理
6.3MOSFET閾值電壓
6.4MOSFET直流特性
6.5MOSFET小信號特性
6.6MOSFET開關(guān)特性
6.7短溝道效應及按比例縮小規(guī)則
思考題6
習題6
第7章異質(zhì)結(jié)器件
7.1異質(zhì)結(jié)
7.2HBT的工作原理與特性
7.3HBT的工藝.結(jié)構(gòu)與設(shè)計
7.4HEMT的原理與特性
7.5HEMT的結(jié)構(gòu)和設(shè)計
思考題7
習題7
第8章雙極型集成電路
8.1集成電路簡介
8.2雙極型集成電路中的元件結(jié)構(gòu)與基本制造工藝
8.3雙極型數(shù)字集成電路中的門電路
8.4雙極型模擬集成電路中的基本單元電路
8.5雙極型集成電路的版圖設(shè)計
思考題8
習題8
第9章MOS集成電路
9.1MOS集成電路簡介
9.2MOS集成電路中的基本單元電路
9.3半導體集成電路設(shè)計方法和步驟
9.4MOSIC單元電路的版圖設(shè)計
思考題9
習題9
參考文獻
附錄