先進半導體存儲器：結構、設計與應用

定　價：￥43.00

作　者：	（美）Ashok K.Sharma著；曾瑩等譯；曾瑩譯
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	化學工業(yè)

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ISBN：	9787505399488	出版時間：	2005-01-01	包裝：	膠版紙
開本：	26cm	頁數：	448	字數：

內容簡介

　　本書特色：DRAM作為新一代高容量半導體產品制造技術的推動者，除用于計算機領域外，還廣泛用于汽車、航空、軍事和航天、電信以及無線工業(yè)等領域。近年來，新一代高容量、高性能的存儲器結構得到了進一步發(fā)展，包括嵌入式存儲器和不揮發(fā)快閃存儲器在內的大容量存儲設備得到了越來越廣泛的應用。本書深入介紹了先進半導體存儲器的技術與發(fā)展，內容詳盡而新穎，具體包括：●靜態(tài)隨機存取存儲器技術，涉及先進的體系結構、低壓SRAM、快速SRAM、SOlSRAM以及專用SRAM（多端口、FIFO、CAM等）●高性能動態(tài)隨機存取存儲器技術——DDR、同步DRAM／SGRAM的特性和體系結構、EDRAM、CDRAM、各位DRAM的等比例縮小問題及其體系結構、多電平存儲DRAM和SOlDRAM等●專用DRAM的體系結構和設計一一VRAM、DDRSGRAM、RDRAM、SLDRAM和三維RAM等●先進不揮發(fā)存儲器的設計和技術，包括浮柵單元理論、EEPROM／快閃存儲器單元設計和多電平快閃存儲器等●FRAM及其可靠性問題●嵌入式存儲器的設計和應用，包括高速緩存、合并處理器、DRAM體系結構、存儲卡和多媒體應用等●未來存儲器的發(fā)展方向：采用RTD、單電子存儲器等技術使存儲容量從兆字節(jié)發(fā)展到兆兆字節(jié)本書深入介紹了先進半導體存儲器的技術與發(fā)展，論述全面，涵蓋了近年來的新技術成果。書中講解了靜態(tài)隨機存取存儲器技術、高性能的動態(tài)隨機存取存儲器、專用DRAM的結構和設計，先進的不揮發(fā)存儲器的設計和技術、嵌入式存儲器的設計和應用，以及未來存儲器的發(fā)展方向等。DRAM作為新一代半導體產品制造技術的推動者，除用于計算機領域之外，還用于汽車、航空、航天、電信以及無線工業(yè)等領域。近年來，新一代高容量、高性能的存儲器結構得到了進一步發(fā)展，包括嵌入式存儲器和不揮發(fā)快閃存儲器在內的大容量存儲設備得到了越來越廣泛的應用。本書適合作為大學微電子專業(yè)高年級本科生及研究生的教材，也可作為從事半導體制造與研究的工作人員的參考用書。

作者簡介

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圖書目錄

第1章  先進半導體存儲器引論
1.1  半導體存儲器綜述
1.2  先進半導體存儲器的發(fā)展
1.3  將來存儲器的發(fā)展方向
參考文獻
第2章  靜態(tài)隨機存取存儲器技術
2.1  靜態(tài)隨機存取存儲器的基本結構和單元結構
2.1.1  SRAM的性能和時序
2.1.2  SRAM的讀寫操作
2.2  選擇SRAM時的考慮因素
2.3  高性能的SRAM
2.3.1  直接模式的SRAM
2.3.2  零總線轉換 SRAM
2.3.3  四倍數據率（QDR）SRAM
2.3.4  雙數據率（DDR）SRAM
2.3.5  無周轉模式的RAM
2.4  先進的SRAM結構
2.5  低壓SRAM
2.6  BiCMOS工藝的SRAM
2.7  SOI SRAM
2.8  特種SRAM
2.8.1  多端口型的RAM
2.8.2  先進先出（FIFO）型存儲器
2.8.3  按內容編址存儲器
參考文獻
第3章  高性能的動態(tài)隨機存取存儲器
3.1  動態(tài)隨機存取存儲器技術和發(fā)展趨勢
3.2  DRAM時序規(guī)范和操作
3.2.1  總的時序規(guī)范
3.2.2  存儲器讀操作
3.2.3  存儲器寫操作
3.2.4  讀改寫操作
3.2.5  DRAM刷新操作
3.3  擴充數據輸出動態(tài)隨機存取存儲器(EDO DRAM)
3.3.1  EDO DRAM（例子）
3.4  增強式動態(tài)隨機存取存儲器（EDRAM）
3.5  同步的動態(tài)隨機存取存儲器/圖像隨機存取存儲器結構
3.5.1  SDR SDRAM/SGRAM
3.5.2  DDR SDRAM/SGRAM特點
3.5.3  256 M位DRAM實例
3.6  增強式同步動態(tài)隨機存取存儲器（ESDRAM）
3.7  高速緩存動態(tài)隨機存取存儲器（CDRAM）
3.8  虛擬通道存儲動態(tài)隨機存取存儲器（VCM DRAM ）
3.9  先進的DRAM工藝技術展望
3.9.1  存儲器電容器單元的改進
3.9.2  64 Mb DRAM
3.9.3  256 Mb DRAM
3.10  千兆位DRAM等比例縮小問題和結構
3.11  多電平存儲的動態(tài)隨機存取存儲器（MLDRAM）
3.12  絕緣體基外延硅動態(tài)隨機存取存儲器（SOI DRAM）
參考文獻
第4章  專用DRAM結構與設計
4.1  視頻RAM（VRAM）
4.2  同步顯存（SGRAM）
4.2.1  64 M位的DDR SGRAM
4.2.2  256兆位的DDR快速周期RAM（FCRAM）
4.3  Rambus技術概述
4.3.1  直接RDRAM技術
4.3.2  以直接Rambus存儲系統(tǒng)為基礎的設計
4.4  同步鏈接DRAM（SLDRAM）
4.4.1  SLDRAM 標準
4.4.2  SLDRAM結構和功能總述
4.4.3  SLDRAM（舉例）
4.5  3-D RAM
4.5.1  像素ALU操作
4.6  存儲系統(tǒng)設計思路
參考文獻
第5章  先進的不揮發(fā)存儲器設計與技術
5.1  不揮發(fā)存儲器進展
5.1.1  介紹
5.1.2  串行EEPROM
5.1.3  快閃存儲器的發(fā)展
5.2  浮柵單元工作原理和操作
5.2.1  浮柵單元工作原理
5.2.2  電荷輸運機制
5.3  不揮發(fā)存儲器單元和陣列設計
5.3.1  UV-EPROM（或EPROM）單元
5.3.2  EEPROM單元
5.3.3  快閃存儲器單元
5.3.4  快閃存儲器單元的基本操作和工藝
5.3.5  快閃EEPROM技術的發(fā)展
5.4  快閃存儲器體系結構
5.4.1  NOR快閃存儲器
5.4.2   NAND快閃存儲器
5.4.3  DINOR體系結構的快閃存儲器
5.4.4  AND體系結構的快閃存儲器
5.4.5  特種快閃存儲器
5.5  多電平不揮發(fā)存儲器
5.5.1  多電平NOR快閃存儲器
5.5.2  多電平NAND快閃存儲器
5.5.3  多電平AND快閃存儲器
5.6  快閃存儲器的可靠性問題
5.6.1  EPROM/EEPROM中一般的失效機制
5.6.2  快閃存儲器的可靠性
5.7  鐵電存儲器
5.7.1  技術回顧
5.7.2  鐵電材料和存儲器設計
5.7.3  兆位級的FRAM
5.7.4   鏈式FRAM（Chain FRAM，CFRAM）
5.7.5  金屬鐵電半導體場效應晶體管
5.7.6  FRAM的可靠性問題
參考文獻
第6章  嵌入式存儲器的設計與應用
6.1  嵌入式存儲器的發(fā)展
6.2  高速緩沖存儲器的設計
6.2.1  DSP中高速緩存體系結構的實現（舉例）
6.3  嵌入式SRAM和DRAM的設計
6.3.1  嵌入式SRAM宏單元
6.3.2  嵌入式DRAM宏單元
6.4  合并處理器的DRAM體系結構
6.5  采用嵌入式邏輯體系結構的DRAM工藝
6.5.1  嵌入DRAM核的模塊
6.5.2  采用嵌入式DRAM的多媒體加速器
6.5.3  智能RAM（IRAM）
6.5.4  計算RAM
6.6  嵌入式EEPROM和flash存儲器
6.7  存儲器卡及其多媒體應用
6.7.1  存儲器卡
6.7.2  單片flash盤
參考文獻
第7章  未來的存儲器方向：兆字節(jié)到兆兆字節(jié)
7.1  將來的存儲器發(fā)展
7.2  磁阻隨機存取存儲器（MRAM）
7.2.1  MRAM技術發(fā)展和權衡
7.2.2  MRAM 單元和結構
7.2.3  256 K/1 Mb GMRAM
7.2.4  多值MRAM
7.3  諧振隧道二極管為基的存儲器
7.3.1  諧振隧道二極管理論
7.3.2  隧道SRAM(TSRAM)單元設計
7.3.3  RTD為基的存儲器系統(tǒng)（例子）
7.4  單電子存儲器
7.4.1  單電子器件理論
7.4.2  單電子存儲器特性和結構
7.4.3  單電子器件制造技術
7.4.4  納米晶體存儲器器件
7.5  相變非易失性存儲器
7.6  質子非易失性存儲器
7.7  其他存儲器技術的發(fā)展（例子）
7.7.1  晶閘管為基的SRAM（T-RAM）
7.7.2  按內容編址只讀存儲器（CAROM）
7.7.3  納米存儲器
7.7.4  固態(tài)全息存儲器
參考文獻