半導體材料

1 導論1 11 基本概念1 12 發(fā)展簡史2 13 半導體材料的分類3 14 半導體材料的基本性質(zhì)4 141 半導體的晶體結構4 142 半導體的化學鍵5 143 半導體的能帶6 144 半導體的電導7 145 半導體的霍爾效應7 146 半導體的光學性質(zhì)9 15 半導體中的雜質(zhì)和缺陷1 151 雜質(zhì)1 152 缺陷1 153 半導體缺陷工程1 16 半導體材料的性能檢測11 17 材料的應用發(fā)展趨勢13 參考文獻16 2 元素半導體材料19 21 硅19 211 Si的化學性質(zhì)19 212 晶體結構和能帶2 213 電學性質(zhì)21 214 光學性質(zhì)23 215 Si中的雜質(zhì)23 216 Si中的缺陷27 217 Si的力學和熱學性質(zhì)28 22 鍺3 221 化學性質(zhì)3 222 物理性質(zhì)31 23 金剛石32 24 硒和碲34 241 硒34 242 碲35 25 磷、硼和灰錫36 251 磷36 252 硼37 253 灰錫38 參考文獻39 3 化合物半導體材料41 31 III-V族半導體材料41 311 概述41 312 一般性質(zhì)41 313 晶體結構、化學鍵和極性45 314 主要的III-V族化合物半導體47 32 II-VI族化合物半導體材料65 321 概述65 322 光學性質(zhì)7 323 自補償72 324 應用概述73 33 碳化硅74 331 SiC的化學性質(zhì)74 332 SiC的物理性質(zhì)74 34 IV-VI族化合物半導體材料77 341 基本性質(zhì)77 342 應用簡介82 35 其他二元化合物半導體材料84 351 III-VI族化合物84 352 V-VI族化合物85 353 I-VII族化合物87 354 氧化物半導體87 36 三元化合物半導體材料88 參考文獻93 4 固溶體半導體材料95 41 固溶體的基本性質(zhì)95 42 Si1-xGex固溶體96 421 晶格常數(shù)和失配率96 422 電學性質(zhì)97 423 其他性質(zhì)98 43 III-V族固溶體半導體11 431 三元固溶體11 432 四元固溶體17 44 II-VI族及其他固溶體半導體113 441 HgCdTe的基本性質(zhì)113 442 其他II-VI族固溶體116 443 II-VI/III-V族固溶體117 444 IV-VI族（鉛鹽）固溶體118 45 稀磁半導體119 451 晶格常數(shù)和帶隙121 452 其他基本性質(zhì)123 453 應用概述124 參考文獻125 5 非晶、有機和微結構半導體材料128 51 非晶半導體材料128 511 引言128 512 基本性質(zhì)129 513 應用136 514 微晶半導體138 52 有機半導體材料138 521 有機半導體材料及其基本性質(zhì)138 522 應用146 53 半導體微結構（超晶格、量子結構）材料15 531 半導體超晶格15 532 量子結構材料157 533 半導體微結構材料的主要性能及應用158 54 多孔硅和納米硅161 541 多孔硅和納米硅的基本性質(zhì)162 542 多孔硅和納米硅的應用前景163 參考文獻164 6 半導體器件基礎166 61 pn結166 62 金屬-半導體接觸169 63 晶體三極管171 631 結型晶體管171 632 異質(zhì)結雙極晶體管（HBT) 171 633 場效應晶體管（FET) 172 634 MOSFET173 635 HEMT174 64 可控硅（SCR) 175 65 半導體發(fā)光與激光176 651 pn結注入式發(fā)光176 652 半導體激光器177 66 集成電路178 參考文獻18 7 半導體電子材料181 71 材料的器件適性優(yōu)值181 711 約翰遜優(yōu)值181 712 凱斯優(yōu)值182 713 巴利加優(yōu)值183 714 高頻器件用材料優(yōu)值184 715 熱性能優(yōu)值185 72 硅187 721 為什么要用硅187 722 集成電路（IC）對Si材料的基本要求189 723 關于硅片大直徑化192 724 硅單晶在電力電子技術中的應用192 725 多晶硅薄膜和非晶硅薄膜194 73 硅基材料195 731 SiGe/Si(固溶體)材料195 732 絕緣體上的硅（SOI）材料198 733 GaAs/Si異質(zhì)外延材料21 74 化合物半導體材料22 741 GaAs22 742 InP25 743 SiC27 744 GaN28 75 金剛石21 參考文獻211 8 半導體光電子材料215 81 半導體激光材料215 811 III-V族LD材料215 812 II-VI族半導體LD材料221 813 IV-VI族半導體LD材料222 814 半導體LD材料市場概況223 82 半導體顯示材料224 821 LED材料224 822 半導體電致發(fā)光材料226 823 陰極射線發(fā)光材料227 83 太陽電池材料228 831 發(fā)展歷程概述228 832 太陽電池材料作為清潔能源材料的重要性229 833 太陽電池材料23 834 發(fā)展趨勢和展望234 84 其他半導體光電子材料235 841 電光材料235 842 光子牽引材料236 843 負電子親和勢光電陰極材料236 844 光波導材料238 85 光電集成電路材料239 參考文獻239 9 半導體敏感材料242 91 力敏材料242 911 壓阻效應力敏材料242 912 壓電效應力敏材料244 92 光敏材料245 921 可見光波段光敏材料245 922 紅外波段光敏材料246 923 短波長（紫外）光敏材料251 924 光電二極管材料252 925 光電導膜材料254 93 磁敏材料254 931 霍爾器件材料254 932 磁阻器件材料256 933 磁敏二極管和磁敏三極管材料257 94 熱敏材料258 941 半導體陶瓷熱敏電阻材料258 942 硅溫敏電阻258 943 溫敏二極管259 95 氣敏材料26 951 金屬氧化物半導體氣敏材料26 952 MOS型氣敏元件材料262 96 射線敏材料263 97 其他半導體敏感材料265 參考文獻266 1 其他半導體材料268 11 半導體熱電材料及其應用268 111 熱電效應簡述268 112 半導體熱電材料269 113 關于更大優(yōu)值熱電材料的研究276 114 熱電材料應用281 12 半導體紅外光學材料及其應用281 121 基本性質(zhì)282 122 重要半導體紅外光材料287 123 應用概述298 13 半導體陶瓷材料及其應用3 131 PTC半導瓷材料3 132 NTC半導瓷材料32 133 臨界溫度熱敏電阻（器）材料32 134 線性熱敏半導瓷材料33 135 （電）壓敏半導瓷材料33 136 晶界層電容器半導瓷材料35 參考文獻35 11 半導體材料制備38 111 體單晶生長38 1111 熔體生長基本原理簡述38 1112 直拉法311 1113 直拉生長技術的幾項改進313 1114 懸浮區(qū)熔技術317 1115 垂直梯度凝固和垂直布里奇曼技術319 1116 水平布里奇曼技術32 1117 化合物半導體單晶熔體生長技術的比較321 1118 關于化合物半導體單晶中的位錯321 1119 氣相輸運生長技術323 112 片狀晶生長323 1121 D-Web技術324 1122 SR技術324 1123 EFG技術325 113 晶片加工325 1131 切片325 1132 倒角326 1133 磨片326 1134 腐蝕326 1135 拋光327 1136 清洗327 1137 晶片的幾何參數(shù)和參考面328 114 外延生長329 1141 LPE技術33 1142 VPE技術332 1143 MBE技術338 1144 化學束外延技術342 1145 其他外延技術342 115 非晶半導體薄膜制備343 1151 制備方法概述343 1152 非晶硅薄膜制備344 參考文獻347