真空微電子學及其應用

定　價：￥9.50

作　者：	王保平，雷威編
出版社：	東南大學出版社
叢編項：
標　簽：	真空電子技術(shù)

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ISBN：	9787810509152	出版時間：	2002-01-01	包裝：	平裝
開本：	21cm	頁數(shù)：	151頁	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　真空微電子學是一門新興交叉學科，涉及到真空電子學、微電子學、薄膜技術(shù)和材料科學等多門學科和技術(shù)。本書從真空微電子學的形成、發(fā)展歷史和最新動態(tài)出發(fā)，系統(tǒng)地介紹了真空微電子學的物理基礎(chǔ)，即場致發(fā)射理論和其他相關(guān)物理原理，詳細地討論了微細結(jié)構(gòu)制造技術(shù)、真空微電子器件工作特性的數(shù)值模擬和器件結(jié)構(gòu)設(shè)計，著重闡述了真空微電子學的應用及其對未來電子學發(fā)展的巨大影響。本書可作為高等院電子信息技術(shù)、通信技術(shù)、微電子學及相關(guān)專業(yè)的高年級本科生教材，也可供從事真空微電子學研究與開發(fā)的專業(yè)技術(shù)人員參考。

作者簡介

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圖書目錄

1 緒論
1.1 引言
1.2 真空微電子學的發(fā)展歷史
1.3 真空微電子學的特點和內(nèi)容
1.4 真空微電子學的應用與發(fā)展趨勢
思考題與習題
參考文獻
2 場致發(fā)射
2.1 引言
2.2 表面電子特性
2.3 金屬場致發(fā)射
2.4 半導體場致發(fā)射
2.5 內(nèi)場致發(fā)射
2.6 場致發(fā)射電子的能量分布和Nottingham效應
2.7 空間電荷效應
思考題與習題
參考文獻
3 器件物理與特性分析
3.1 引言
3.2 場致發(fā)射公式的特性
3.3 真空條件和FEA結(jié)構(gòu)分析
3.4 FEA結(jié)構(gòu)優(yōu)化和理論極限
3.5 FEA熱穩(wěn)定性和材料選擇
3.6 FEA陣列特性估算
思考題與習題
參考文獻
4 數(shù)值計算與器件特性模擬
4.1 引言
4.2 數(shù)值計算模型的建立
4.3 靜電場的數(shù)值模擬
4.4 電子軌跡及發(fā)射電流的計算
4.5 場致發(fā)射器件特性模擬
思考題與習題
參考文獻
5 器件制造與工藝
5.1 引言
5.2 縱向器件的制備
5.3 橫向器件的制備
5.4 器件封裝
5.5 器件制備中所涉及的重要工藝
思考題與習題
參考文獻
6 真空微電子器件
6.1 引言
6.2 真空集成電路有源元件
6.3 高頻和微波器件
6.4 電子源和微電子光學系統(tǒng)
6.5 場致發(fā)射顯示屏
6.6 傳感技術(shù)
6.7 顯微技術(shù)
思考題與習題
參考文獻