微電子學(xué)概論

第一章緒論
1.1晶體管的發(fā)明
1.2集成電路的發(fā)展歷史
1.3集成電路的分類
1.3.1按器件結(jié)構(gòu)分類
1.3.2按集成電路規(guī)模分類
1.3.3按結(jié)構(gòu)形式的分類
1.3.4按電路功能分類
1.3.5集成電路的分類小結(jié)
1.4微電子學(xué)的特點(diǎn)
第二章半導(dǎo)體物理和2S件物理基礎(chǔ)
2.1半導(dǎo)體及其基本特性
2.1.1金屬-半導(dǎo)體-絕緣體
2.1.2半導(dǎo)體的摻雜
2.1.3半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和電阻率
2.1.4遷移率
2.2半導(dǎo)體中的載流子
2.2.1半導(dǎo)體中的能帶
2.2.2多子和少子的熱平衡
2.2.3電子的平衡統(tǒng)計(jì)規(guī)律
2.2.4過剩載流子
2.3PN結(jié)
2.3.1平衡PN結(jié)
2.3.2PN結(jié)的正向特性
2.3.3PN結(jié)的反向特性
2.3.4PN結(jié)的擊穿
2.3.5PN結(jié)的電容
2.4雙極晶體管
2.4.1雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)
2.4.2晶體管的電流傳輸
2.4.3晶體管的電流放大系數(shù)
2.4.4晶體管的直流特性曲線
2.4.5晶體管的反向電流與擊穿電壓
2.4.6晶體管的頻率特性
2.5MOS場效應(yīng)晶體管
2.5.1MOS場效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)
2.5.2MIS結(jié)構(gòu)
2.5.3MOS場效應(yīng)晶體管的直流特性
2.5.4MOS場效應(yīng)晶體管的種類
2.5.5MOS場效應(yīng)晶體管的電容
第三章大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)
3.1半導(dǎo)體集成電路概述
3.2雙極集成電路基礎(chǔ)
3.2.1集成電路中的雙極晶體管
3.2.2雙極型數(shù)字集成電路
3.2.3雙極型模擬集成電路
3.3MOS集成電路基礎(chǔ)
3.3.1集成電路中的MOSFET
3.3.2MOS數(shù)字集成電路
3.3.3CMOS集成電路
第四章集成電路制造工藝
4.1雙極集成電路工藝流程
4.2MOS集成電路工藝流程
4.3光刻與刻蝕技術(shù)
4.3.1光刻工藝簡介
4.3.2幾種常見的光刻方法
4.3.3超細(xì)線條光刻技術(shù)
4.3.4刻蝕技術(shù)
4.4氧化
4.4.1SiO2的性質(zhì)及其作用
4.4.2熱氧化形成SiO2的機(jī)理
4.4.3SiO2的制備方法
4.5擴(kuò)散與離子注入
4.5.1擴(kuò)散
4.5.2擴(kuò)散工藝
4.5.3離子注入
4.5.4離子注入原理
4.5.5退火
4.6化學(xué)汽相淀積(CVD)
4.6.1化學(xué)汽相淀積方法
4.6.2單晶硅的化學(xué)汽相淀積(外延)
4.6.3二氧化硅的化學(xué)汽相淀積
4.6.4多晶硅的化學(xué)汽相淀積
4.6.5氮化硅的化學(xué)汽相淀積
4.7接觸與互連
4.7.1金屬膜的形成方法
4.7.2難熔金屬硅化物柵及其復(fù)合結(jié)構(gòu)
4.7.3多層互連
4.8隔離技術(shù)
4.8.1雙極集成電路隔離工藝
4.8.2MOS集成電路隔離工藝
4.9封裝技術(shù)
4.9.1封裝工藝
4.9.2封裝的分類
4.10集成電路工藝小結(jié)
第五章集成電路設(shè)計(jì)
5.1集成電路的設(shè)計(jì)特點(diǎn)與設(shè)計(jì)信息描述
5.1.1設(shè)計(jì)特點(diǎn)
5.1.2設(shè)計(jì)信息描述
5.2集成電路的設(shè)計(jì)流程
5.3集成電路的設(shè)計(jì)規(guī)則
5.3.1以為單位的設(shè)計(jì)規(guī)則
5.3.2以微米為單位的設(shè)計(jì)規(guī)則
5.4集成電路的設(shè)計(jì)方法
5.4.1全定制設(shè)計(jì)方法
5.4.2門陣列設(shè)計(jì)方法(GA方法)
5.4.3標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)方法(SC方法)
5.4.4積木塊設(shè)計(jì)方法(BBL方法)
5.4.5可編程邏輯器件設(shè)計(jì)方法
5.4.6幾種布圖沒計(jì)方法的比較
5.4.7兼容設(shè)計(jì)方法
5.4.8硅編譯器技術(shù)
5.4.9可測性設(shè)汁技術(shù)
5.5集成電路設(shè)計(jì)舉例
5.5.1四位運(yùn)算器的設(shè)計(jì)流程
5.5.2多路開關(guān)的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)過程
第六章集成電路設(shè)計(jì)的CAD系統(tǒng)
6.1集成電路設(shè)計(jì)的CAD系統(tǒng)概述
6.2系統(tǒng)描述與模擬--VHDL語言及模擬
6.2.1VHDL語言的基本概念及主要作用
6.2.2VHDL語言建模機(jī)制的特點(diǎn)
6.2.3VHDL的模擬算法
6.2.4VHDL語言模擬環(huán)境的特點(diǎn)
6.3綜合
6.4邏輯模擬
6.4.1邏輯模擬的基本概念和主要作用
6.4.2邏輯模擬模型的建立
6.4.3邏輯描述
6.4.4邏輯模擬算法
6.4.5開關(guān)級邏輯模擬
6.5電路模擬
6.5.1電路模擬的基本概念
6.5.2電路模擬的基本功能
6.5.3電路模擬軟件的基本結(jié)構(gòu)
6.5.4電路描述
6.6時(shí)序分析和混合模擬
6.6.1時(shí)序分析和混合模擬的主要作用
6.6.2時(shí)序分析的基本原理
6.6.3混合模擬
6.7版圖設(shè)計(jì)的CAD工具
6.7.1版圖設(shè)計(jì)的基本概念
6.7.2版圖的自動設(shè)計(jì)
6.7.3版圖的半自動設(shè)計(jì)
6.7.4版圖的人工設(shè)計(jì)
6.7.5版圖檢查與驗(yàn)證
6.7.6制版
6.7.7版圖數(shù)據(jù)交換的格式
6.8器件模擬
6.8.1器件模擬的基本概念
6.8.2器件模擬的基本原理
6.8.3器件模擬的基本功能及所用模型
6.8.4輸入文件
6.9工藝模擬
6.9.1工藝模擬的基本概念
6.9.2工藝模擬的基本內(nèi)容
6.9.3工藝模擬的輸入文件
6.10計(jì)算機(jī)輔助測試(CAT)技術(shù)
6.10.1故障模型
6.10.2計(jì)算機(jī)輔助測試技術(shù)
第七章幾類重要的特種微電子器件
7.1薄膜晶體管
7.2光電子器件
7.2.1輻射躍遷和光吸收
7.2.2發(fā)光器件
7.2.3光電探測器
7.2.4太陽能電池
7.3CCD器件
第八章微機(jī)電系統(tǒng)
8.1微機(jī)電系統(tǒng)的基本概念
8.2幾種重要的MEMS器件
8.4.1微加速度計(jì)
8.4.2微陀螺
8.4.3微馬達(dá)
8.3MEMS加工工藝
8.3.1硅微機(jī)械加工工藝
8.3.2LIGA加工工藝
8.4MEMS技術(shù)發(fā)展的趨勢
第九章微電子技術(shù)發(fā)展的規(guī)律和趨勢
9.1微電子技術(shù)發(fā)展的一些基本規(guī)律
9.1.1摩爾定律
9.1.2等比例縮小定律
9.2微電子技術(shù)發(fā)展的一些趨勢和展望
9.2.12l世紀(jì)仍將以硅基CMOS電路為主流
9.2.2集成系統(tǒng)是21世紀(jì)微電子技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)
9.2.3微電子與其它學(xué)科結(jié)合誕生出新的技術(shù)增長點(diǎn)
9.2.4近幾年將有重大發(fā)展的一些關(guān)鍵技術(shù)
附錄
附錄A微電子學(xué)領(lǐng)域大事記
附錄B微電子學(xué)常用縮略語